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压力下的CeBi电子传导特性

钟凡 金汴骏 黄桐凯 蒙如玲

压力下的CeBi电子传导特性

钟凡, 金汴骏, 黄桐凯, 蒙如玲
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出版历程
  • 收稿日期:  1986-05-12
  • 刊出日期:  2005-03-20

压力下的CeBi电子传导特性

  • 1. (1)上海工业大学; (2)上海科学技术大学; (3)中国科学院物理研究所

摘要: 在4.2—273K温区内,0—18kbar压强下,测量了CeBi单晶的电阻率。实验表明,尼尔温度随压强增大而增大,且温度T>TN后,磁性电阻率ρs与lnΤ成正比。计及p-f作用,我们用Anderson模型计算了与压强有关的CeBi磁性电阻率,并将计算结果与实验比较。结果表明,4f电子能级与费密能级的距离随压强增大而减小,压强增大导致p-f作用的增强。

English Abstract

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