搜索

x

Vol. 36, No. 3 (1987)

1987年02月05日
目录
目录
研究简报
研究简报
领域
目录
用Radon变换处理非圆截面等离子体的测量结果
李定, 霍裕平
1987, 36 (3): 275-283. doi: 10.7498/aps.36.275
摘要 +
本文试图探索一条途径,通过弦测量迅速定出非圆截面等离子体的磁场位形,同时重构出待测物理量的二维分布。假设位形为同心相似的嵌套、分布为磁面的函数,从Radon变换出发,导出了三种方法,不失一般性,着重对D形截面的情形进行了解析推导和计算机模拟,讨论了综合处理多种弦测量的可行性,模拟了利用软X射线和微波同时测量,一次性定出磁场位形和电子温度、电子密度分布的过程。
非均匀等离子体中rf波电流驱动理论
潘传红
1987, 36 (3): 284-292. doi: 10.7498/aps.36.284
摘要 +
本文用Green函数法求解准线性Fokker-Planck方程,得到非均匀等离子体中rf波的电流驱动效率。结果表明:考虑非均匀性以后,驱动效率显著提高,并且驱动效率随β值的增大而降低。
激光等离子体淀积硅膜
傅广生, 韩理, 李晓苇, 张连水, 董丽芳, 吕福润, 薛春银
1987, 36 (3): 293-300. doi: 10.7498/aps.36.293
摘要 +
本工作研究了低温、低压下硅薄膜的激光淀积过程,获得均匀性好,平方厘米量级的多晶和非晶态薄膜。仔细测量了淀积过程的最佳条件,在380℃基片温度做得多晶膜。利用有共振吸收的光学击穿以及气体被击穿后产生爆炸波导致高能Si原子产生的模型,讨论了激光等离子体CVD动力学过程。发现TEACO2激光击穿SiH4,以及诱发的爆炸波对硅膜生长有重要作用。理论算得的硅膜生长面积和晶态结构与实验定性符合。
He+离子和Ar原子碰撞过程中激发态的研究
潘广炎, 雷子明, 刘家瑞
1987, 36 (3): 301-307. doi: 10.7498/aps.36.301
摘要 +
在He+离子和Ar原子碰撞过程中,同样存在着电子俘获激发和直接激发两种过程。本文把实验结果同He+离子和Ne原子碰撞体系进行了比较,发现:在入射离子速度较小时,实验所得到的Hel三重态发射截面要大得多;当入射离子He+的速度大于一个原子单位(2.2×108cm/s)时,情况则相反。因此,在俘获电子过程中,势能亏损同He+离子的入射速度是两个非常重要的因素,而且它们之间存在一个竞争过程。入射离子He
硫酸锂钾的高压相及室温以上的P-T状态图
沈中毅, 胡静竹, 张云, 殷岫君
1987, 36 (3): 308-314. doi: 10.7498/aps.36.308
摘要 +
本文用改进了的高压下差热分析方法以及金刚石压砧加温下的X射线衍射方法研究了硫酸锂钾(LiKSO4)在室温以上的高压相变,较精确地测定了在3GPa、800℃以下各相的平衡条件,作出了它的P-T状态图。本文发现LiKSO4在1.65GPa以上压力存在一个高压结构,标定了它的晶体参数,测量了它在高压下的热膨胀行为,并研究了高压相在常压时的热稳定性。
压力下的CeBi电子传导特性
钟凡, 金汴骏, 黄桐凯, 蒙如玲
1987, 36 (3): 315-321. doi: 10.7498/aps.36.315
摘要 +
在4.2—273K温区内,0—18kbar压强下,测量了CeBi单晶的电阻率。实验表明,尼尔温度随压强增大而增大,且温度T>TN后,磁性电阻率ρs与lnΤ成正比。计及p-f作用,我们用Anderson模型计算了与压强有关的CeBi磁性电阻率,并将计算结果与实验比较。结果表明,4f电子能级与费密能级的距离随压强增大而减小,压强增大导致p-f作用的增强。
Li2O-P205O-V2O5系统非晶材料电学性质与磁共振研究
崔万秋, 阮立坚
1987, 36 (3): 322-331. doi: 10.7498/aps.36.322
摘要 +
本文对Li2O-P2O5-V2O5系统非晶态中的几组试样进行了电导率、核磁共振及顺磁共振测试。实验分析表明非晶态的log(σΤ)-1/Τ曲线都是由两个直线段构成。电导率在转变温度以后的“晶化前期”异常增大,这归因于该阶段非晶态结构有序化程度增加所致,利用ESR实验结果对非晶态进行钒离子价态分析表明,该系统非晶态中钒离子仅以V4+和V5+状态存在。固定P<
Li1+xGe2-xAlxP3O12系统的相关系和电导
李世椿, 蔡坚毅, 林祖纕
1987, 36 (3): 332-338. doi: 10.7498/aps.36.332
摘要 +
本文研究了Li1+xGe2-xAlxP3O12系统的相组成和电导的关系。发现用LiGe2P3O12作为基体化合物,通过离子置换可以得到好的锂离子导体。用Al3+置换LiGe2P3O12中的Ge4+,在0
碱卤晶体中激子-声子相互作用与光吸收谱线宽
郑杭, 方俊鑫
1987, 36 (3): 339-349. doi: 10.7498/aps.36.339
摘要 +
本文研究对碱卤晶体中电荷转移型激子(charge transfer exciton,简写为CTE)的性质有重要影响的激子-声子相互作用。讨论了一类可能起重要作用的相互作用机制:离子的位移振动对CTE系统的哈密顿量的调制,从而导出了CTE与声子系统的相互作用哈密顿量,还讨论了相互作用导致的CTE的有限寿命及与之相联系的光吸收谱线宽,并在适当的近似下作自洽的数值计算,得到的线宽数据与实验测定值半定量相符。这说明本文导出的相互作用哈密顿量很可能是碱卤晶体中起重要作用的激子-声子相互作用。
引力孤立波
陶福臻
1987, 36 (3): 350-356. doi: 10.7498/aps.36.350
摘要 +
本文给出了真空爱因斯坦方程的一组严格的孤立波解,证明了存在一种处处正则,稳定而不扩散且以光速传播的引力波,并对它们的奇异性和能量分布问题进行了讨论。
研究简报
元素超导电性的新判据
王荣耀, 罗棨光
1987, 36 (3): 357-362. doi: 10.7498/aps.36.357
摘要 +
本文提出一个适用于周期表全部元素的超导性判据。判据指出:一切超导元素的电负性值都在1.3至1.9之间。深入研究元素电负性与超导电性之间的关系,将有助于揭示(电子、晶格之间的)静电作用与超导电性之间的联系,这对超导机制的进一步探讨是有益的。
AlGaAs/GaAs异质结中的平行电导效应
史常忻, 忻尚衡, 吴鼎芬
1987, 36 (3): 363-367. doi: 10.7498/aps.36.363
摘要 +
本文计算了AlGaAs/GaAs异质结在大栅压下,出现“平行电导效应”时的栅压与平行导电层中电荷的关系。由此给出了高电子迁移率晶体管(HEMT)在大栅压时跨导变化的特性,与实验进行了比较,符合较好。
H2O在Pt(100)表面的预吸附态与高迁移性能
施丹华, 曹培林
1987, 36 (3): 368-371. doi: 10.7498/aps.36.368
摘要 +
本文采用ASED-MO方法,计算了H2O分子在Pt(100)面上不同吸附取向、不同吸附位置时的结合能,以及表面扩散激活能和扩散系数.计算结果表明,H20分子必须通过氢原子朝向衬底的预吸附态.才能进人氧原子朝向衬底的垂直顶位化学吸附状态.当H2O分子处于上述预吸附态时,势能面极为平坦,扩散系数大,迁移性高.
组分调制合金的表面电子结构——CPA方法
庞根弟, 熊诗杰, 蔡建华
1987, 36 (3): 372-376. doi: 10.7498/aps.36.372
摘要 +
本文在紧束缚近似下,用CPA方法结合无限级微扰理论讨论了组分调制合金的表面电子结构。数值计算包括了替位无序模型及Anderson无序模型。
关于铁磁链方程的反散射解法的严格证明和验证
帅志刚, 陈宗蕴, 黄念宁
1987, 36 (3): 377-381. doi: 10.7498/aps.36.377
摘要 +
本文对于通常证明中引入的造成困难的因子λ-1,证明不仅应当略去,而且在略去后,同样可以得到与Takhtajan方程等价的结果,只在λ=0处有预料到的修正。同时,给出了反散射解法的解满足铁磁链方程的普遍验证。
磁化不均匀等离子体中的两种模式转换
余玮, 徐至展, 陈泽尊
1987, 36 (3): 382-385. doi: 10.7498/aps.36.382
摘要 +
本文研究了磁化不均匀等离子体共振点以上的过密区的场分布。由于异常模电磁波与等离子体纵波间的相互转换,电磁波在过密区将再次被激发。
强脉冲CO2激光对红外材料的破坏现象
李惠宁, 吴占林, 刘淑英, 梅华, 王春奎, 方慧英, 傅裕寿, 李淑英
1987, 36 (3): 386-390. doi: 10.7498/aps.36.386
摘要 +
实验表明强激光对红外材料的破坏分为两种类型:烧蚀和冲击破坏。在空气中,光功率密度低于大气的光学击穿阈值时,以烧蚀为主。超过击穿阈值时,冲击破坏是主要的。在我们的实验条件下,用强激光辐照红外脆性材料的靶,靶极易产生微裂纹或粉碎性破坏,其破坏效果与激光的脉冲能量、功率密度、脉冲宽度,以及着靶面积有关。为了直观,文中给出了不少辐照损伤的照片。
CHClF2在强红外激光作用下C2*d3Пg态的形成机制
汪正民, 杨立书, 刘宗才, 吴传秀, 葛礼和
1987, 36 (3): 391-394. doi: 10.7498/aps.36.391
摘要 +
用TEACO2激光辐照CHCIF2分子生成电子激发态C2*自由基,观察到斯旺带系的六个谱带。本文根据C2分子态位能曲线的特点,提出C2*d3Πg态的形成机制。C2是少数较特殊的分子之一,其激发态b3Σg-与第一激发态a
低温相偏硼酸钡晶体的红外反射光谱
杨延勇, 张光寅, 吴柏昌
1987, 36 (3): 395-400. doi: 10.7498/aps.36.395
摘要 +
本文报道了新型非线性材料——低温相偏硼酸钡晶体在室温下两种不同偏振成份的红外反射光谱(100—4000cm-1波段),得到了200cm-1以上频率范围内振动模的横模和纵模频率。利用“层状分子性结构”模型,参照喇曼光谱实验结果,对该晶体内振动模的归属给出了分析指认。
(OH)-离子对F2+心的稳定作用
张涛, 万良风, 阮永丰, 郭绍章
1987, 36 (3): 401-407. doi: 10.7498/aps.36.401
摘要 +
基于我们的实验结果,本文讨论了(OH)-离子在LiF晶体中对F2+心的稳定作用,给出了样品在室温下放置九个月时,其中的F2+心吸收峰,此时F2+心仍达到实现激光振荡所要求的浓度。
硅单晶中片状沉淀物X射线形貌研究
储晞, 麦振洪, 戴道扬, 崔树范, 葛培文
1987, 36 (3): 408-410. doi: 10.7498/aps.36.408
摘要 +
本文利用X射线截面形貌术、限区形貌术、回摆形貌术以及扫描电子显微镜等方法研究了硅单晶中一个片状沉淀物,确定其组态及在晶体内的位置,并对其形成作了简略的分析。