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高温电子辐照硅中缺陷的研究

陆昉 孙恒慧 黄蕴 盛篪 张增光 王梁

高温电子辐照硅中缺陷的研究

陆昉, 孙恒慧, 黄蕴, 盛篪, 张增光, 王梁
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出版历程
  • 收稿日期:  1986-07-29
  • 刊出日期:  2005-03-18

高温电子辐照硅中缺陷的研究

  • 1. (1)复旦大学物理系; (2)上海整流器总厂
    基金项目: 

    中国科学院科学基金

摘要: 本文对高温电子辐照硅中产生的缺陷进行了研究,发现缺陷的引进率随电子辐照温度的增加而增加,在达到极值温度Tm后,缺陷的引进率将随之而下降,Tm值与缺陷的退火激活能有关。E3缺陷(Ec—0.36eV)浓度在高温电子辐照中显著增加,在330℃高温电子辐照时,E3缺陷浓度为室温电子辐照的6倍。研究结果表明,E3缺陷的可能结构为与多空位和氧有关的复合体。

English Abstract

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