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氢气氛对光纤损耗特性的影响

宁鼎 胡恺生 傅怀杰

氢气氛对光纤损耗特性的影响

宁鼎, 胡恺生, 傅怀杰
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出版历程
  • 收稿日期:  1989-03-09
  • 刊出日期:  2005-03-20

氢气氛对光纤损耗特性的影响

  • 1. 机械电子工业部电子材料研究所,天津,300220

摘要: 本文测量了100,130,150和180℃下、1atm氢气氛中的MCVD多模光纤损耗谱的变化。研究了分子氢和氢氧根分别在1.24μm,1.41μm引起的损耗增加,由实验结果推出损耗增加与时间、温度关系的经验公式,估算了室温下(20℃)20年后1.3μm,1.55μm的损耗增加。

English Abstract

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