搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

掺杂浓度对p-GaAs的带隙变窄的影响

程文芹 梅笑冰 刘双 刘玉龙 李永康 周均铭

掺杂浓度对p-GaAs的带隙变窄的影响

程文芹, 梅笑冰, 刘双, 刘玉龙, 李永康, 周均铭
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  2650
  • PDF下载量:  327
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1991-06-24
  • 刊出日期:  2005-07-03

掺杂浓度对p-GaAs的带隙变窄的影响

  • 1. 中国科学院物理研究所,北京100080

摘要: 用光致荧光的方法对分子束外延生长的(110)方向的掺Be的GaAs带隙变窄随掺杂浓度的变化进行研究。结果表明:对于P-GaAs,带隙变窄主要是价带上移造成的,杂质能级(带)相对导带的位置不变。因此,电离能随着掺杂浓度的增加而减小。

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回