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Si(100)表面电子态的总电流谱研究

王向东 胡际璜 葛毓青 戴道宣

Si(100)表面电子态的总电流谱研究

王向东, 胡际璜, 葛毓青, 戴道宣
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出版历程
  • 收稿日期:  1991-06-18
  • 刊出日期:  2005-07-03

Si(100)表面电子态的总电流谱研究

  • 1. 复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433
    基金项目: 

    国家自然科学基金

摘要: 用自制的总电流谱仪研究了Si(100)2×1清洁表面以及H原子饱和吸附后的Si(100)1×1-2H双氢化相表面的电子态。在清洁表面上测得的空电子态位于价带顶以上0.7eV处,而占有电子态则在价带顶以下0.25,8.4和近12eV处。在双氢化相表面上还观测到处于价带顶以下两个诱导表面态。

English Abstract

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