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低温氮化硅薄膜的介电性能研究

叶超 宁兆元 沈明荣 汪浩 甘肇强 马云秀

低温氮化硅薄膜的介电性能研究

叶超, 宁兆元, 沈明荣, 汪浩, 甘肇强, 马云秀
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出版历程
  • 收稿日期:  1996-09-16
  • 修回日期:  1996-12-27
  • 刊出日期:  1997-06-20

低温氮化硅薄膜的介电性能研究

  • 1. (1)苏州大学物理科学与技术学院; (2)苏州市第三中学

摘要: 研究了微波电子回旋共振等离子体化学汽相沉积低温氮化硅薄膜在5—106Hz频率范围内的介电性能.由于低温氮化硅薄膜为具有分形结构的纳米非晶薄膜,致使氮化硅薄膜的介电谱、损耗谱在低频区和高频区具有两种不同的分布规律.在低频区介电谱具有ε′∝ωn-11的关系,n1在0.82—0.88之间,是电子跳跃导电的结果;在高频区介电谱具有ε′∝ωn-12的关系,n2在0

English Abstract

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