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GaN外延层中的缺陷研究

康俊勇 黄启圣 小川智哉

GaN外延层中的缺陷研究

康俊勇, 黄启圣, 小川智哉
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出版历程
  • 收稿日期:  1998-10-05
  • 修回日期:  1998-11-04
  • 刊出日期:  1999-07-20

GaN外延层中的缺陷研究

  • 1. (1)厦门大学物理系,厦门 361005; (2)学习院大学理学部,东京都171,日本
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划(批准号:715-010-0022)和国家自然科学基金(批准号:69576022)及福建省自然科学基金(批准号:F9810004)资助的课题.

摘要: 采用阴极射线致发光法观察金属有机物汽相外延法生长的具有不同表面形貌的GaN外延层中黄色发光带的强度分布.结果表明六角金字塔形表面形貌对发光强度分布的测量有很大影响.测量和比较表面镜面加工样品的黄色发光带强度分布、原子序数衬度和X射线波谱发现,黄色发光带的强度在含有O和C等杂质缺陷附近较强.高分辨透射电子显微镜观察表明,杂质缺陷区的晶格结构不同于GaN基质,以及位错和裂缝等由应力引起的缺陷.认为此类缺陷可能是生长过程中,杂质在结晶小丘合并处的V形凹角中的沉积所产生.

English Abstract

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