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C60不同吸附取向的STM图象的理论模拟

汪克林 侯建国 朱清时 李群祥 杨金龙

C60不同吸附取向的STM图象的理论模拟

汪克林, 侯建国, 朱清时, 李群祥, 杨金龙
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出版历程
  • 收稿日期:  1998-10-12
  • 修回日期:  1998-11-25
  • 刊出日期:  1999-08-20

C60不同吸附取向的STM图象的理论模拟

  • 1. (1)中国科学技术大学基础物理中心,合肥 230026; (2)中国科学技术大学结构分析研究开放研究实验室,合肥 230026; (3)中国科学技术大学选键化学开放研究实验室,合肥 230026; (4)中国科学技术大学选键化学开放研究实验室,合肥 230026;中国科学技术大学基础物理中心,合肥 230026
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:19604016)资助的课题.

摘要: 采用离散变分局域密度泛涵(DV-LDF)方法,基于Tersoff-Hamann的扫描隧道显微镜(STM)理论,通过计算单个C60五种不同吸附取向的电荷密度分布图来模拟其STM图象.计算结果表明,不同取向C60的电荷密度分布图有各自的特征‘指纹’,其中模拟正偏压情形下C60的最低未占据分子轨道(LUMO)分布图与其STM图象具有较好的可比性.与实验上已有的STM图象和文献中的理论计算结果比较,可以确定C60在一些表面上的

English Abstract

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