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Si衬底上异质外延金刚石的初始阶段原子H的作用及其界面结构

康 健 肖长永 熊艳云 冯克安 林彰达

Si衬底上异质外延金刚石的初始阶段原子H的作用及其界面结构

康 健, 肖长永, 熊艳云, 冯克安, 林彰达
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出版历程
  • 收稿日期:  1998-11-25
  • 刊出日期:  1999-11-20

Si衬底上异质外延金刚石的初始阶段原子H的作用及其界面结构

  • 1. (1)北京大学物理系,北京 100871; (2)中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室,北京 100080
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:59632010)和国家高技术研究发展计划(批准号:715-002-0031)资助的课题.

摘要: 用高分辨率电子能量损失谱方法研究了原子H与被C2H2吸附的Si(100)界面的相互作用.结果显示,在Si(100)界面上,Si—Si二聚化键和C2H2中的C—C键被H原子打开,它们分别形成Si—H,C—H键.用AM1量子化学方法,计算了C2H2和C2H4在Si(100)上的吸附结构,指出了C2H2

English Abstract

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