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在硅(001)上预沉积β-SiC定向层后金刚石薄膜的定向生长

沈挺 何贤昶 沈荷生 张志明 万永中

在硅(001)上预沉积β-SiC定向层后金刚石薄膜的定向生长

沈挺, 何贤昶, 沈荷生, 张志明, 万永中
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出版历程
  • 收稿日期:  1999-07-04
  • 修回日期:  1999-08-06
  • 刊出日期:  2000-03-20

在硅(001)上预沉积β-SiC定向层后金刚石薄膜的定向生长

  • 1. (1)平田精密器材(上海)有限公司,上海200137; (2)上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室,上海200030
    基金项目: 

    国家自然科学基金!(批准号 :5 96 82 0 0 1)资助的课题

摘要: 采用无毒、不易燃的六甲基二硅胺烷和氢气在硅(001)单晶上用施加负偏压处理和化学汽相沉积(CVD)方法预沉积定向的βSiC.傅里叶红外光谱证实βSiC层的存在.微俄歇谱表明在这种方式下,850℃下即生成密集的与硅的三个〈001〉方向平行的碳化硅单晶晶粒.接着用甲烷代替六甲基二硅胺烷作为碳源,在其上继续施加负偏压处理和CVD生长.微俄歇谱表明小正方形渐渐变成大正方形,其成分也从含硅碳变成只含碳.微喇曼谱证实了这一变化过程中的相结构从立方碳化硅变成金刚石.这一生长过程中对应的定向关系为金刚石〈001〉∥βSi

English Abstract

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