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中子辐照直拉硅中的本征吸除效应

李养贤 刘何燕 牛萍娟 刘彩池 徐岳生 杨德仁 阙端鳞

中子辐照直拉硅中的本征吸除效应

李养贤, 刘何燕, 牛萍娟, 刘彩池, 徐岳生, 杨德仁, 阙端鳞
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-05-14
  • 修回日期:  2002-06-10
  • 刊出日期:  2005-06-01

中子辐照直拉硅中的本征吸除效应

  • 1. (1)河北工业大学材料学院,天津300130; (2)浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027
    基金项目: 

    国家自然科学重点基金 (批准号 :5 0 0 3 2 0 10 )

    河北省自然科学基金

    天津市自然科学基金重点资助课题~~

摘要: 对经中子辐照的直拉硅中的本征吸除效应进行了研究.结果表明:经中子辐照后,直拉硅片经一步短时退火就可以在硅片表面形成完整的清洁区.清洁区宽度受辐照剂量和退火温度所控制,清洁区一旦形成,就不随退火时间变化.大量的缺陷在中子辐照时产生,并同硅中氧相互作用,加速了硅片体内氧的沉淀,是快速形成本征吸除效果的主要因素,从而把热历史的影响降到次要地位

English Abstract

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