搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

α-SiC“非汉字符号”表面结构的第一性原理计算

徐法强 潘海斌 谢长坤 徐彭寿

α-SiC“非汉字符号”表面结构的第一性原理计算

徐法强, 潘海斌, 谢长坤, 徐彭寿
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  2841
  • PDF下载量:  1260
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 刊出日期:  2002-12-20

α-SiC“非汉字符号”表面结构的第一性原理计算

  • 1. (1)中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230029; (2)中国科学技术大学结构分析开放实验室,合肥230026;中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230029
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号 :5 0 13 2 0 40 )

    中国科学技术大学“高水平大学建设”研究基地资助的课题

摘要: 用全势缀加平面波方法(FPLAPW)计算了αSiC及其非极性(1010)表面的原子与电子结构.计算出的αSiC晶体结构参量:晶格常量和体积弹性模量与实验值符合得很好.用平板超原胞模型来计算αSiC(1010)表面的原子与电子结构,结果表明表面顶层原子发生键长收缩并扭转的弛豫特性,表面阳离子Si,C向体内方向发生不同程度的位移.表面重构的机理为Si,C原子由原来的sp3杂化方式退化为sp2杂化,与其三配位异种原子近似以平面构型成键.另外,表面弛豫实现表面由半金属性至半导体性的转变

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回