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ITO导电膜红外发射率理论研究

张维佳 王天民 钟立志 吴小文 崔 敏

ITO导电膜红外发射率理论研究

张维佳, 王天民, 钟立志, 吴小文, 崔 敏
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  • 根据红外辐射理论和薄膜光学原理计算了高品质ITO(indium tin oxide)导电膜的红外发射 率,其理论曲线与实测曲线基本符合. 并得出方块电阻小于30Ω时,ITO膜在红外波段8—14μ m的平均红外发射率理论值小于0.1.实际制备方块电阻小于10Ω的ITO膜具有优良的红外隐身 性能. 讨论了高品质ITO膜具有低红外发射率的物理机理,并提出了低红外发射率临界方块电 阻值,这有利於理论研究和工艺制备红外隐身ITO膜.
    • 基金项目: 国防基础研究项目(批准号:K1201060805)、国防预研项目(批准号:413100202)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-10-10
  • 修回日期:  2005-01-14
  • 刊出日期:  2005-09-20

ITO导电膜红外发射率理论研究

  • 1. 北京航空航天大学 理学院,北京 100083
    基金项目: 

    国防基础研究项目(批准号:K1201060805)、国防预研项目(批准号:413100202)资助的课题.

摘要: 根据红外辐射理论和薄膜光学原理计算了高品质ITO(indium tin oxide)导电膜的红外发射 率,其理论曲线与实测曲线基本符合. 并得出方块电阻小于30Ω时,ITO膜在红外波段8—14μ m的平均红外发射率理论值小于0.1.实际制备方块电阻小于10Ω的ITO膜具有优良的红外隐身 性能. 讨论了高品质ITO膜具有低红外发射率的物理机理,并提出了低红外发射率临界方块电 阻值,这有利於理论研究和工艺制备红外隐身ITO膜.

English Abstract

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