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恒流应力下E2PROM隧道氧化层的退化特性研究

李蕾蕾 刘红侠 于宗光 郝 跃

恒流应力下E2PROM隧道氧化层的退化特性研究

李蕾蕾, 刘红侠, 于宗光, 郝 跃
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  • 在电容测量的基础上研究了薄隧道氧化层在恒定Fowler-Nordheim(F-N)隧穿电流下的退化情况. 这种退化是恒流应力和时间的函数,对恒流应力大小的依赖性更加强烈,隧道氧化层在F-N电流下的退化是注入电荷密度(Qinj)的函数. 在较低Qinj下氧化层中发生正电荷俘获,在较高Qinj下发生负电荷俘获,导致栅压变化的反复.
    • 基金项目: 国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA1Z1070)和国家自然科学基金(批准号:60376024)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-08-19
  • 修回日期:  2005-10-31
  • 刊出日期:  2006-05-20

恒流应力下E2PROM隧道氧化层的退化特性研究

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA1Z1070)和国家自然科学基金(批准号:60376024)资助的课题.

摘要: 在电容测量的基础上研究了薄隧道氧化层在恒定Fowler-Nordheim(F-N)隧穿电流下的退化情况. 这种退化是恒流应力和时间的函数,对恒流应力大小的依赖性更加强烈,隧道氧化层在F-N电流下的退化是注入电荷密度(Qinj)的函数. 在较低Qinj下氧化层中发生正电荷俘获,在较高Qinj下发生负电荷俘获,导致栅压变化的反复.

English Abstract

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