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4H-SiC 射频MESFET中陷阱参数的提取方法

吕红亮 张义门 张玉明 车 勇 王悦湖 陈 亮

4H-SiC 射频MESFET中陷阱参数的提取方法

吕红亮, 张义门, 张玉明, 车 勇, 王悦湖, 陈 亮
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  • 针对4H-SiC 射频MESFET中的陷阱效应,采用解析的方法建立陷阱模型,分析了陷阱效应对器件带来的影响,阐述了陷阱的陷落-发射机理,提取了时间常数、陷阱浓度等相关参数.得到的模拟结果能够较好的反映实验结果.
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:51327010101)和国家自然科学基金(批准号:60606022)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-05-09
  • 修回日期:  2007-07-18
  • 刊出日期:  2008-05-28

4H-SiC 射频MESFET中陷阱参数的提取方法

  • 1. (1)武警工程学院军械运输系,西安 710086; (2)西安电子科技大学微电子学院,教育部宽禁带半导体重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:51327010101)和国家自然科学基金(批准号:60606022)资助的课题.

摘要: 针对4H-SiC 射频MESFET中的陷阱效应,采用解析的方法建立陷阱模型,分析了陷阱效应对器件带来的影响,阐述了陷阱的陷落-发射机理,提取了时间常数、陷阱浓度等相关参数.得到的模拟结果能够较好的反映实验结果.

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