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6H-SiC(0001)表面graphene逐层生长的分子动力学研究

唐超 吉璐 孟利军 孙立忠 张凯旺 钟建新

6H-SiC(0001)表面graphene逐层生长的分子动力学研究

唐超, 吉璐, 孟利军, 孙立忠, 张凯旺, 钟建新
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  • 利用经典分子动力学方法和模拟退火技术分析研究了6H-SiC(0001)表面graphene的逐层生长过程及其形貌结构特点.研究表明,经过高温蒸发表面硅原子后,6H-SiC(0001)表面的碳原子能够通过自组织过程生成稳定的局部单原子层graphene结构.这种过程类似于6H-SiC(0001)表面graphene的形成,其生长和结构形貌演化主要取决于退火温度和表面碳原子的覆盖程度. 研究发现,当退火温度高于1400K时,6H-SiC(0001)表面碳原子能形成局部的单原子层graphene结构.这一转变温
    • 基金项目: 国家自然科学基金面上项目(批准号:10774127)和湘潭大学博士科研启动项目(批准号:09QDZ08)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-08-03
  • 修回日期:  2008-10-07
  • 刊出日期:  2009-11-20

6H-SiC(0001)表面graphene逐层生长的分子动力学研究

  • 1. (1)量子工程与微纳能源技术湖南省普通高等学校重点实验室,湘潭 411105; (2)量子工程与微纳能源技术湖南省普通高等学校重点实验室,湘潭 411105;湘潭大学物理系,湘潭 411105
    基金项目: 

    国家自然科学基金面上项目(批准号:10774127)和湘潭大学博士科研启动项目(批准号:09QDZ08)资助的课题.

摘要: 利用经典分子动力学方法和模拟退火技术分析研究了6H-SiC(0001)表面graphene的逐层生长过程及其形貌结构特点.研究表明,经过高温蒸发表面硅原子后,6H-SiC(0001)表面的碳原子能够通过自组织过程生成稳定的局部单原子层graphene结构.这种过程类似于6H-SiC(0001)表面graphene的形成,其生长和结构形貌演化主要取决于退火温度和表面碳原子的覆盖程度. 研究发现,当退火温度高于1400K时,6H-SiC(0001)表面碳原子能形成局部的单原子层graphene结构.这一转变温

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