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采用激光诱导掺锌的方法提高了常规GaN基外延片p-GaN层的空穴浓度,并将它制备成小功率白光发光二极管(LED).对其光电性能做了详细的测量并进行了加速老化实验和分析.结果表明,与常规LED相比,经过激光诱导p-GaN层掺锌LED的光电性能获得了明显改善:正向工作电压VF从3.33 V降到3.13 V,串联电阻从30.27 Ω降到20.27 Ω,室温下衰退系数从1.68×10-4降到1.34×10-4,老化1600 h后的反向漏电流从超过0.2 μA降为不超过0.025 μA,器件的预测寿命延长了41%.器件光电性能改善的主要原因是激光诱导掺锌使LED的p-型欧姆接触改善和热阻降低所致.
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