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不同掺杂类型的GaN间隔层和量子阱垒层对双波长LED作用的研究

张运炎 范广涵

不同掺杂类型的GaN间隔层和量子阱垒层对双波长LED作用的研究

张运炎, 范广涵
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  • 采用软件理论分析的方法对不同掺杂类型的GaN间隔层和量子阱垒层在InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管中对发光光强、内量子效率、电子空穴浓度分布、溢出电流等作用进行模拟分析. 分析结果表明,p型掺杂的GaN间隔层与量子阱垒层的引入同不掺杂和n型掺杂两种类型比较,可以大大减少溢出电子流,极大地提高各量子阱内空穴浓度,提高双波长发光二极管的发光强度,极大的改善内量子效率随电流增大而下降问题.
    • 基金项目: 2009年省部产学研结合引导项目(批准号:2009B090300338),粤港关键领域重点突破项目(批准号:2007A010501008)和教育部博士点基金项目(批准号: 350163) 资助的课题.
    [1]

    Zheng D S, Qian K Y, Luo Y 2005 Semiconductor Optoelectronics 26 87

    [2]

    Shen G D, Zhang N G, Liu J P, Niu N H, Li T, Xing Y H, Lin Q M, Guo X 2007 Semiconductor Optoelectronics 28 349

    [3]

    Yamada M, Narukawa Y, Mukai T 2002 J. Appl. Phys. 41 246

    [4]

    Qi Y D, Liang H, Tang W, Lu Z D, Kei May Lau 2004 Journal of Crystal Growth 272 333

    [5]

    Damilano B, Grandjean N, Pernot C, Massies J 2001 J. Appl. Phys. 40 918

    [6]

    Li Y L, Gessmann T H 2003 J. Appl. Phys. 94 2167

    [7]

    Yamada M, Narukawa Y, Mukai T 2002 J. Appl. Phys. 41 246

    [8]

    Chen H S, Yeh D M, Lu C F 2006 IEEE Photon. Technol. Lett. 18 1430

    [9]

    Ozden I, Makarona E, Nurmikko A V, Takeuchi T, Krames M 2001 Appl. Phys. Lett. 79 2532

    [10]

    Crosslight Software Inc http: //www.crosslight.com 2,2010]

    [11]

    Chuang S L, Chang C S 1997 Semicond. Sci. and Technol. 12 252

    [12]

    Chuang S L, Chang C S 1996 Phys. Rev. B 54 2491

    [13]

    Goano M, Bellotti E, Ghillino E, Garetto C, Ghione G, Brennan K F 2000 J. Appl. Phys. 88 6476

    [14]

    Bernardini F, Fiorentini V, Vanderbilt D 1997 Phys. Rev. B 56 10024

    [15]

    Fiorentini V, Bernardini F, Ambacher O 2002 App. Phys. Lett. 80 1204

  • [1]

    Zheng D S, Qian K Y, Luo Y 2005 Semiconductor Optoelectronics 26 87

    [2]

    Shen G D, Zhang N G, Liu J P, Niu N H, Li T, Xing Y H, Lin Q M, Guo X 2007 Semiconductor Optoelectronics 28 349

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    Yamada M, Narukawa Y, Mukai T 2002 J. Appl. Phys. 41 246

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    Qi Y D, Liang H, Tang W, Lu Z D, Kei May Lau 2004 Journal of Crystal Growth 272 333

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    Li Y L, Gessmann T H 2003 J. Appl. Phys. 94 2167

    [7]

    Yamada M, Narukawa Y, Mukai T 2002 J. Appl. Phys. 41 246

    [8]

    Chen H S, Yeh D M, Lu C F 2006 IEEE Photon. Technol. Lett. 18 1430

    [9]

    Ozden I, Makarona E, Nurmikko A V, Takeuchi T, Krames M 2001 Appl. Phys. Lett. 79 2532

    [10]

    Crosslight Software Inc http: //www.crosslight.com 2,2010]

    [11]

    Chuang S L, Chang C S 1997 Semicond. Sci. and Technol. 12 252

    [12]

    Chuang S L, Chang C S 1996 Phys. Rev. B 54 2491

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    Goano M, Bellotti E, Ghillino E, Garetto C, Ghione G, Brennan K F 2000 J. Appl. Phys. 88 6476

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    Bernardini F, Fiorentini V, Vanderbilt D 1997 Phys. Rev. B 56 10024

    [15]

    Fiorentini V, Bernardini F, Ambacher O 2002 App. Phys. Lett. 80 1204

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出版历程
  • 收稿日期:  2010-03-14
  • 修回日期:  2010-05-04
  • 刊出日期:  2011-01-15

不同掺杂类型的GaN间隔层和量子阱垒层对双波长LED作用的研究

  • 1. 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州 510631
    基金项目: 

    2009年省部产学研结合引导项目(批准号:2009B090300338),粤港关键领域重点突破项目(批准号:2007A010501008)和教育部博士点基金项目(批准号: 350163) 资助的课题.

摘要: 采用软件理论分析的方法对不同掺杂类型的GaN间隔层和量子阱垒层在InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管中对发光光强、内量子效率、电子空穴浓度分布、溢出电流等作用进行模拟分析. 分析结果表明,p型掺杂的GaN间隔层与量子阱垒层的引入同不掺杂和n型掺杂两种类型比较,可以大大减少溢出电子流,极大地提高各量子阱内空穴浓度,提高双波长发光二极管的发光强度,极大的改善内量子效率随电流增大而下降问题.

English Abstract

参考文献 (15)

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