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InGaAs薄膜表面的粗糙化过程

罗子江 周勋 王继红 郭祥 张毕禅 周清 刘珂 丁召

InGaAs薄膜表面的粗糙化过程

罗子江, 周勋, 王继红, 郭祥, 张毕禅, 周清, 刘珂, 丁召
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  • 采用STM分析InGaAs表面形貌演变研究InGaAs表面的粗糙化和预粗糙化等相变过程, 特别针对In0.15Ga0.85As薄膜表面预粗糙化过程进行了深入研究. 发现In0.15Ga0.85As薄膜在不同的衬底温度和As等效束流压强下表现出不同的预粗糙化过程. 在低温低As等效束流压强下, 薄膜表面将经历从有序平坦到预粗糙并演变成粗糙的过程, 起初坑的形成是表面形貌演变的主要形式, 随着退火时间的延长, 大量坑和岛的共同形成促使表面进入粗糙状态; 在高温高As等效束流压强下薄膜表面将率先形成小岛, 退火时间延长后小岛逐渐增加并最终达到平衡态, 表面形貌将长期处于预粗糙状态.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 60866001)、 教育部博士点基金(批准号: 20105201110003)、贵州省优秀科技教育人才省长专项基金(批准号: 黔省专合字(2009)114号)、 贵州省科学技术基金(批准号: 黔科篔字[2011]2095号)、 贵州省留学人员科技项目(批准号: Z103233)和贵州财经大学2010博士基金资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-06-18
  • 修回日期:  2012-08-28
  • 刊出日期:  2013-02-05

InGaAs薄膜表面的粗糙化过程

  • 1. 贵州大学理学院, 贵阳 550025;
  • 2. 贵州财经大学教育管理学院, 贵阳 550004;
  • 3. 贵州师范大学物理与电子科学学院, 贵阳 550001
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 60866001)、 教育部博士点基金(批准号: 20105201110003)、贵州省优秀科技教育人才省长专项基金(批准号: 黔省专合字(2009)114号)、 贵州省科学技术基金(批准号: 黔科篔字[2011]2095号)、 贵州省留学人员科技项目(批准号: Z103233)和贵州财经大学2010博士基金资助的课题.

摘要: 采用STM分析InGaAs表面形貌演变研究InGaAs表面的粗糙化和预粗糙化等相变过程, 特别针对In0.15Ga0.85As薄膜表面预粗糙化过程进行了深入研究. 发现In0.15Ga0.85As薄膜在不同的衬底温度和As等效束流压强下表现出不同的预粗糙化过程. 在低温低As等效束流压强下, 薄膜表面将经历从有序平坦到预粗糙并演变成粗糙的过程, 起初坑的形成是表面形貌演变的主要形式, 随着退火时间的延长, 大量坑和岛的共同形成促使表面进入粗糙状态; 在高温高As等效束流压强下薄膜表面将率先形成小岛, 退火时间延长后小岛逐渐增加并最终达到平衡态, 表面形貌将长期处于预粗糙状态.

English Abstract

参考文献 (20)

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