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CaCu3Ti4O12 陶瓷介电模量响应特性的研究

李盛涛 王辉 林春江 李建英

CaCu3Ti4O12 陶瓷介电模量响应特性的研究

李盛涛, 王辉, 林春江, 李建英
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  • 由于CaCu3Ti4O12巨介电常数陶瓷的低频区直流电导较大, 本文采用模量 M"-f频谱表征与分析了低频和高频的两个松弛极化过程. 研究认为, 这两个特征峰属于晶界区Schottky 势垒耗尽层边缘深陷阱的电子松弛过程, 其中高频松弛峰起源于晶粒本征缺陷的电子松弛过程, 而低频松弛峰则为与氧空位有关的松弛极化过程. 对于CaCu3Ti4O12这类低频下具有高直流电导的陶瓷材料, 采用模量频谱能更有效地分析研究其损耗极化机理.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:50972118, 50977071, 51177121)资助的课题.
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    Cowley A M 1966 J. Appl. Phys. 37 3024

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    [15]

    Yang Y 2009 Ph.D. Dissertation (Xi'an:Xi'an Jiaotong University) (in Chinese) [杨雁 2009 博士学位论文(西安:西安交通大学)]

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    Yu A Y C, Snow E H 1968 J. Appl. Phys. 39 3008

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出版历程
  • 收稿日期:  2012-06-21
  • 修回日期:  2012-12-13
  • 刊出日期:  2013-04-05

CaCu3Ti4O12 陶瓷介电模量响应特性的研究

  • 1. 西安交通大学, 电力设备电气绝缘国家重点实验室, 西安 710049
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50972118, 50977071, 51177121)资助的课题.

摘要: 由于CaCu3Ti4O12巨介电常数陶瓷的低频区直流电导较大, 本文采用模量 M"-f频谱表征与分析了低频和高频的两个松弛极化过程. 研究认为, 这两个特征峰属于晶界区Schottky 势垒耗尽层边缘深陷阱的电子松弛过程, 其中高频松弛峰起源于晶粒本征缺陷的电子松弛过程, 而低频松弛峰则为与氧空位有关的松弛极化过程. 对于CaCu3Ti4O12这类低频下具有高直流电导的陶瓷材料, 采用模量频谱能更有效地分析研究其损耗极化机理.

English Abstract

参考文献 (17)

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