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Ni/HfO2/Pt阻变单元特性与机理的研究

庞华 邓宁

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Ni/HfO2/Pt阻变单元特性与机理的研究

庞华, 邓宁

Electric characteristics and resistive switching mechanism of Ni/HfO2/Pt resistive random access memory cell

Pang Hua, Deng Ning
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  • 研究了Ni/HfO2(10 nm)/Pt存储单元的阻变特性和机理. 该器件具有forming-free 的性质,还表现出与以往HfO2(3 nm)基器件不同的复杂的非极性阻变特性,并且具有较大的存储窗口值(>105). 存储单元的低阻态阻值不随单元面积改变,符合导电细丝阻变机理的特征. 采用X 射线光电子能谱仪分析器件处于低阻态时的阻变层HfO2薄膜的化学组分以及元素的化学态,结果表明,Ni/HfO2/Pt阻变存储器件处于低阻态时的导电细丝是由金属Ni导电细丝和氧空位导电细丝共同形成的.
    Electric characteristics and resistive switching mechanism of Ni/HfO2/Pt cell are investigated. The cell has a forming-free property and shows an abnormal non-polar switching behavior. A high ON/OFF resistance ratio (>105) is obtained. The resistance of the on-state is independent of cell size, which implies that a conductive filament is formed in HfO2 film. X-ray photoelectron spectroscopy is used to investigate the compositions and valences of Ni and Hf in HfO2 film for the on-state cell. The results show that there is a hybrid filament comprised of a Ni filament and an oxygen vacancy filament in the HfO2 film for the on-state.
    • 基金项目: 国家高技术研究发展计划(批准号:2011AA010403)资助的课题.
    • Funds: Project supported by the National High Technology Research and Development Program of China (Grant No. 2011AA010403).
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-02-20
  • 修回日期:  2014-04-03
  • 刊出日期:  2014-07-05

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