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Ni/HfO2/Pt阻变单元特性与机理的研究

庞华 邓宁

Ni/HfO2/Pt阻变单元特性与机理的研究

庞华, 邓宁
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  • 研究了Ni/HfO2(10 nm)/Pt存储单元的阻变特性和机理. 该器件具有forming-free 的性质,还表现出与以往HfO2(3 nm)基器件不同的复杂的非极性阻变特性,并且具有较大的存储窗口值(>105). 存储单元的低阻态阻值不随单元面积改变,符合导电细丝阻变机理的特征. 采用X 射线光电子能谱仪分析器件处于低阻态时的阻变层HfO2薄膜的化学组分以及元素的化学态,结果表明,Ni/HfO2/Pt阻变存储器件处于低阻态时的导电细丝是由金属Ni导电细丝和氧空位导电细丝共同形成的.
    • 基金项目: 国家高技术研究发展计划(批准号:2011AA010403)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-02-20
  • 修回日期:  2014-04-03
  • 刊出日期:  2014-07-05

Ni/HfO2/Pt阻变单元特性与机理的研究

  • 1. 清华大学微电子学研究所, 北京 100084
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划(批准号:2011AA010403)资助的课题.

摘要: 研究了Ni/HfO2(10 nm)/Pt存储单元的阻变特性和机理. 该器件具有forming-free 的性质,还表现出与以往HfO2(3 nm)基器件不同的复杂的非极性阻变特性,并且具有较大的存储窗口值(>105). 存储单元的低阻态阻值不随单元面积改变,符合导电细丝阻变机理的特征. 采用X 射线光电子能谱仪分析器件处于低阻态时的阻变层HfO2薄膜的化学组分以及元素的化学态,结果表明,Ni/HfO2/Pt阻变存储器件处于低阻态时的导电细丝是由金属Ni导电细丝和氧空位导电细丝共同形成的.

English Abstract

参考文献 (28)

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