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Se和MoSe2纳米片的结构和发光性能

王必本 朱恪 王强

Se和MoSe2纳米片的结构和发光性能

王必本, 朱恪, 王强
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  • 以Se粉和MoO3粉为源材料, 利用热丝化学气相沉积在N2中制备了Se和MoSe2纳米片. 利用场发射扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线能谱仪、显微Raman光谱仪和X射线光电子谱仪对Se和MoSe2纳米片结构和组成进行了系统研究. 结果表明: Se粉和MoO3粉的混合与否直接影响了Se和MoSe2纳米片的形成和结构; 当Se粉和MoO3粉充分混合时形成Se纳米片, 而Se和MoO3粉分开放置时则形成MoSe2纳米片. 研究发现这是由于Se和MoO3粉的混合与否使Se和MoO3在气相中的不同反应所致. 对Se和MoSe2 纳米片的发光性能研究表明, 它们分别产生了774, 783和784 nm的发光峰, 不同于单层MoSe2 纳米片的发光性能. 这些结果丰富了对二维Se基纳米材料的合成和光学性能的知识, 有助于对Se基二维纳米材料的光电器件的研制.
      通信作者: 王必本, bibenw@cqut.edu.cn
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 11474325)资助的课题.
    [1]

    Vishwanath S, Liu X, Rouvimov S, CMende P, Azcatl A, McDonnell S, Wallace R M, Feenstra R M, Furdyna J K, Jena D, Xing H G 2015 2D Mater. 2 024007

    [2]

    Lai Z P 2013 Acta Phys. Sin. 62 056801 (in Chinese) [赖占平 2013 物理学报 62 056801]

    [3]

    Ostrikov K, Neyts E C, Meyyappan M 2013 Adv. Phys. 62 113

    [4]

    Xie L Y, Xiao W B, Huang G Q, Hu A R, Liu J T 2014 Acta Phys. Sin. 63 057803 (in Chinese) [谢凌云, 肖文波, 黄国庆, 胡爱荣, 刘江涛 2014 物理学报 63 057803]

    [5]

    Nourbakhsh A, Cantoro M, Vosch T, Pourtois G, Clemente F, van der Veen M H, Hofkens J, Heyns M M, Gendt S D, Sels B F 2010 Nanotechnology 21 435203

    [6]

    Xia J, Huang X, Liu L Z, Wang M, Wang L, Huang B, Zhu D D, Li J J, Gu C Z, Meng X M 2014 Nanoscale 6 8949

    [7]

    Hankare P P, Patil A A, Chate P A, Garadkar K M, Sathe D J, Manikshete A H, Mulla I S 2008 J. Cryst. Growth 311 15

    [8]

    Shaw J C, Zhou H, Chen Y, Weiss N O, Liu Y, Huang Y, Duan X 2014 Nano Res. 7 511

    [9]

    Wang X, Gong Y, Shi G, Chow W L, Keyshar K, Ye G, Vajtai R, Lou J, Liu Z, Ringe E, Tay B K, Ajayan P M 2014 ACS Nano 8 5125

    [10]

    Wang B B, Zhu M K, Ostrikov K, Shao R W, Zheng K 2015 J. Alloys Compd. 647 734

    [11]

    Alparone A 2012 Comput. Theor. Chem. 988 81

    [12]

    Alemn-Vzquez L O, Hernndez-Prez F, Cano-Domnguez J L 2014 Fuel 117 463

    [13]

    Tongay S, Zhou J, Ataca C, Lo K, Matthews T S, Li J, Grossman J C, Wu J 2012 Nano Lett. 12 5576

    [14]

    Sugai S, Ueda T 1982 Phys. Rev. B 26 6554

    [15]

    Tonndorf P, Schmidt R, Bttger P, Zhang X, Brner J, Liebig A, Albrecht M, Kloc C, Gordan O, Zahn D R T, Michaelis de Vasconcellos S, Bratschitsch R 2013 Opt. Express 21 4908

    [16]

    Su S H, Hsu W T, Hsu C L, Chen C H, Chiu M H, Lin Y C, Chang W H, Suenaga K, He J H, Li L J 2014 Front. Energy Res. 2 (www.frontiersin.org, doi: 10.3389/fenrg.2014.00027)

    [17]

    Wagner C D, Riggs W M, Davis L E, Moulder J F, Muilenberg G E 1979 Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy (USA: Perkin-Elmer Corp., Physical Electronics Division) p92,104

    [18]

    Spevack P A, McIntyre N S 1993 J. Phys. Chem. 97 11020

    [19]

    Prasad K S, Patel H, Patel T, Patel K, Selvaraj K 2013 Coll. Surf. B 103 261

    [20]

    Ohring M 1992 The Materials Science of Thin Films (Boston: Academic Press) p82

    [21]

    Howe J M 1997 Interfaces in Materials (New York: John Wiley Sons, Inc.) p494

    [22]

    Samant M S, Kerkar A S, Bharadwaj S R, Dharwadkar S R 1992 J. Alloys Compd. 187 373

    [23]

    Yang B C, Wang W S 1994 Films Physics and Technology (Chengdo: Electronic Science and Technology Press) p151 (in Chinese) [杨邦朝, 王文生 1994 薄膜物理与技术 (成都: 电子科技大学出版社) 第151页]

    [24]

    Li X L, Li Y D 2003 Chem. Eur. J. 9 2726

    [25]

    Rao Y K 1983 Metallurg. Trans. B 14B 308

    [26]

    Overschelde O V, Guisbiers G 2015 Opt. Laser Technol. 73 156

    [27]

    Han M Y, zyilmaz B, Zhang Y, Kim P 2007 Phys. Rev. Lett. 98 206805

    [28]

    Solieman A, Abu-Sehly A A 2010 Physica B 405 1101

    [29]

    Robertson J 1996 Phys. Rev. B 53 16302

  • [1]

    Vishwanath S, Liu X, Rouvimov S, CMende P, Azcatl A, McDonnell S, Wallace R M, Feenstra R M, Furdyna J K, Jena D, Xing H G 2015 2D Mater. 2 024007

    [2]

    Lai Z P 2013 Acta Phys. Sin. 62 056801 (in Chinese) [赖占平 2013 物理学报 62 056801]

    [3]

    Ostrikov K, Neyts E C, Meyyappan M 2013 Adv. Phys. 62 113

    [4]

    Xie L Y, Xiao W B, Huang G Q, Hu A R, Liu J T 2014 Acta Phys. Sin. 63 057803 (in Chinese) [谢凌云, 肖文波, 黄国庆, 胡爱荣, 刘江涛 2014 物理学报 63 057803]

    [5]

    Nourbakhsh A, Cantoro M, Vosch T, Pourtois G, Clemente F, van der Veen M H, Hofkens J, Heyns M M, Gendt S D, Sels B F 2010 Nanotechnology 21 435203

    [6]

    Xia J, Huang X, Liu L Z, Wang M, Wang L, Huang B, Zhu D D, Li J J, Gu C Z, Meng X M 2014 Nanoscale 6 8949

    [7]

    Hankare P P, Patil A A, Chate P A, Garadkar K M, Sathe D J, Manikshete A H, Mulla I S 2008 J. Cryst. Growth 311 15

    [8]

    Shaw J C, Zhou H, Chen Y, Weiss N O, Liu Y, Huang Y, Duan X 2014 Nano Res. 7 511

    [9]

    Wang X, Gong Y, Shi G, Chow W L, Keyshar K, Ye G, Vajtai R, Lou J, Liu Z, Ringe E, Tay B K, Ajayan P M 2014 ACS Nano 8 5125

    [10]

    Wang B B, Zhu M K, Ostrikov K, Shao R W, Zheng K 2015 J. Alloys Compd. 647 734

    [11]

    Alparone A 2012 Comput. Theor. Chem. 988 81

    [12]

    Alemn-Vzquez L O, Hernndez-Prez F, Cano-Domnguez J L 2014 Fuel 117 463

    [13]

    Tongay S, Zhou J, Ataca C, Lo K, Matthews T S, Li J, Grossman J C, Wu J 2012 Nano Lett. 12 5576

    [14]

    Sugai S, Ueda T 1982 Phys. Rev. B 26 6554

    [15]

    Tonndorf P, Schmidt R, Bttger P, Zhang X, Brner J, Liebig A, Albrecht M, Kloc C, Gordan O, Zahn D R T, Michaelis de Vasconcellos S, Bratschitsch R 2013 Opt. Express 21 4908

    [16]

    Su S H, Hsu W T, Hsu C L, Chen C H, Chiu M H, Lin Y C, Chang W H, Suenaga K, He J H, Li L J 2014 Front. Energy Res. 2 (www.frontiersin.org, doi: 10.3389/fenrg.2014.00027)

    [17]

    Wagner C D, Riggs W M, Davis L E, Moulder J F, Muilenberg G E 1979 Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy (USA: Perkin-Elmer Corp., Physical Electronics Division) p92,104

    [18]

    Spevack P A, McIntyre N S 1993 J. Phys. Chem. 97 11020

    [19]

    Prasad K S, Patel H, Patel T, Patel K, Selvaraj K 2013 Coll. Surf. B 103 261

    [20]

    Ohring M 1992 The Materials Science of Thin Films (Boston: Academic Press) p82

    [21]

    Howe J M 1997 Interfaces in Materials (New York: John Wiley Sons, Inc.) p494

    [22]

    Samant M S, Kerkar A S, Bharadwaj S R, Dharwadkar S R 1992 J. Alloys Compd. 187 373

    [23]

    Yang B C, Wang W S 1994 Films Physics and Technology (Chengdo: Electronic Science and Technology Press) p151 (in Chinese) [杨邦朝, 王文生 1994 薄膜物理与技术 (成都: 电子科技大学出版社) 第151页]

    [24]

    Li X L, Li Y D 2003 Chem. Eur. J. 9 2726

    [25]

    Rao Y K 1983 Metallurg. Trans. B 14B 308

    [26]

    Overschelde O V, Guisbiers G 2015 Opt. Laser Technol. 73 156

    [27]

    Han M Y, zyilmaz B, Zhang Y, Kim P 2007 Phys. Rev. Lett. 98 206805

    [28]

    Solieman A, Abu-Sehly A A 2010 Physica B 405 1101

    [29]

    Robertson J 1996 Phys. Rev. B 53 16302

  • [1] 郝志彪, 李贺军, 闫桂沈. 热解碳化学气相沉积中的多重定态和非平衡相变的研究. 物理学报, 2002, 51(2): 326-331. doi: 10.7498/aps.51.326
    [2] 冯秋菊, 许瑞卓, 郭慧颖, 徐坤, 李荣, 陶鹏程, 梁红伟, 刘佳媛, 梅艺赢. 衬底位置对化学气相沉积法制备的磷掺杂p型ZnO纳米材料形貌和特性的影响. 物理学报, 2014, 63(16): 168101. doi: 10.7498/aps.63.168101
    [3] 郭平生, 陈 婷, 曹章轶, 张哲娟, 陈奕卫, 孙 卓. 场致发射阴极碳纳米管的热化学气相沉积法低温生长. 物理学报, 2007, 56(11): 6705-6711. doi: 10.7498/aps.56.6705
    [4] 韩道丽, 赵元黎, 赵海波, 宋天福, 梁二军. 化学气相沉积法制备定向碳纳米管阵列. 物理学报, 2007, 56(10): 5958-5964. doi: 10.7498/aps.56.5958
    [5] 王健雄, 彭景翠, 陈小华, 邓福铭, 吴国涛, 杨杭生, 王淼, 卢筱楠, 李文铸. 射频等离子体辅助化学气相沉积方法生长碳纳米洋葱. 物理学报, 2001, 50(7): 1264-1267. doi: 10.7498/aps.50.1264
    [6] 闫小琴, 刘祖琴, 唐东升, 慈立杰, 刘东方, 周振平, 梁迎新, 袁华军, 周维亚, 王 刚. 衬底对化学气相沉积法制备氧化硅纳米线的影响. 物理学报, 2003, 52(2): 454-458. doi: 10.7498/aps.52.454
    [7] 冯秋菊, 李芳, 李彤彤, 李昀铮, 石博, 李梦轲, 梁红伟. 外电场辅助化学气相沉积方法制备网格状β-Ga2O3纳米线及其特性研究. 物理学报, 2018, 67(21): 218101. doi: 10.7498/aps.67.20180805
    [8] 曾湘波, 王 博, 戴松涛, 廖显伯, 刁宏伟, 向贤碧, 常秀兰, 徐艳月, 胡志华, 郝会颖, 孔光临. 等离子体增强化学气相沉积法实现硅纳米线掺硼. 物理学报, 2004, 53(12): 4410-4413. doi: 10.7498/aps.53.4410
    [9] 刘晃清, 王玲玲, 邹炳锁. 退火温度对ZrO2纳米材料中Eu3+离子发光的影响. 物理学报, 2007, 56(1): 556-560. doi: 10.7498/aps.56.556
    [10] 颜晓红, 肖思国, 阳效良, 丁建文. 尺寸效应对Er3+掺杂纳米Y2O3的发光特性的影响. 物理学报, 2009, 58(1): 165-173. doi: 10.7498/aps.58.165
    [11] 刘晃清, 王玲玲, 秦伟平. 二氧化锆纳米材料中Eu3+的发光特性. 物理学报, 2004, 53(1): 282-285. doi: 10.7498/aps.53.282
    [12] 孙家跃, 曹纯, 杜海燕. NaLa(MoO4)2∶Eu3+的水热调控合成与发光特性研究. 物理学报, 2011, 60(12): 127801. doi: 10.7498/aps.60.127801
    [13] 杨志平, 刘玉峰. Eu2+激活的Ca3SiO5绿色荧光粉的制备和发光特性研究. 物理学报, 2006, 55(9): 4946-4950. doi: 10.7498/aps.55.4946
    [14] 王志军, 刘海燕, 杨勇, 蒋海峰, 段平光, 李盼来, 杨志平, 郭庆林. Ba2Ca(PO4)2:Eu2+蓝色荧光粉的合成及其发光特性. 物理学报, 2014, 63(7): 077802. doi: 10.7498/aps.63.077802
    [15] 王利伟, 杨志平, 熊志军, 徐小岭, 刘玉峰, 余泉茂. 用于白光LED的单一基质白光荧光粉Ca2SiO3Cl2:Eu2+,Mn2+的发光性质. 物理学报, 2007, 56(1): 546-550. doi: 10.7498/aps.56.546
    [16] 刘元红, 庄卫东, 高文贵, 胡运生, 何涛, 何华强. 硼酸对亚微米级Ca3Sc2Si3O12:Ce绿色荧光粉的制备及发光性能的影响. 物理学报, 2010, 59(11): 8200-8204. doi: 10.7498/aps.59.8200
    [17] 王永谦, 陈维德, 陈长勇, 刁宏伟, 张世斌, 徐艳月, 孔光临, 廖显伯. 快速热退火和氢等离子体处理对富硅氧化硅薄膜微结构与发光的影响. 物理学报, 2002, 51(7): 1564-1570. doi: 10.7498/aps.51.1564
    [18] 张晓波, 青芳竹, 李雪松. 化学气相沉积石墨烯薄膜的洁净转移. 物理学报, 2019, 68(9): 096801. doi: 10.7498/aps.68.20190279
    [19] 张宝军, 王芳, 沈稼强, 单欣, 邸希超, 胡凯, 张楷亮. 钴掺杂MoSe2共生长中氢气的作用分析及磁电特性研究. 物理学报, 2020, 69(4): 048101. doi: 10.7498/aps.69.20191302
    [20] 马锡英, 施维林. 纳米CdS-磺化聚苯胺(SPAn)多层复合膜的光学特性研究. 物理学报, 2003, 52(4): 1034-1038. doi: 10.7498/aps.52.1034
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出版历程
  • 收稿日期:  2015-09-23
  • 修回日期:  2015-11-12
  • 刊出日期:  2016-02-05

Se和MoSe2纳米片的结构和发光性能

  • 1. 重庆理工大学化学化工学院, 重庆 400054;
  • 2. 中国科学院物理研究所技术部, 北京 100190;
  • 3. 中国科学院物理研究所, 表面物理国家重点实验室, 北京 100190
  • 通信作者: 王必本, bibenw@cqut.edu.cn
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 11474325)资助的课题.

摘要: 以Se粉和MoO3粉为源材料, 利用热丝化学气相沉积在N2中制备了Se和MoSe2纳米片. 利用场发射扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线能谱仪、显微Raman光谱仪和X射线光电子谱仪对Se和MoSe2纳米片结构和组成进行了系统研究. 结果表明: Se粉和MoO3粉的混合与否直接影响了Se和MoSe2纳米片的形成和结构; 当Se粉和MoO3粉充分混合时形成Se纳米片, 而Se和MoO3粉分开放置时则形成MoSe2纳米片. 研究发现这是由于Se和MoO3粉的混合与否使Se和MoO3在气相中的不同反应所致. 对Se和MoSe2 纳米片的发光性能研究表明, 它们分别产生了774, 783和784 nm的发光峰, 不同于单层MoSe2 纳米片的发光性能. 这些结果丰富了对二维Se基纳米材料的合成和光学性能的知识, 有助于对Se基二维纳米材料的光电器件的研制.

English Abstract

参考文献 (29)

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