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磁控溅射铂抑制镀银表面的二次电子发射

何鋆 俞斌 王琪 白春江 杨晶 胡天存 谢贵柏 崔万照

磁控溅射铂抑制镀银表面的二次电子发射

何鋆, 俞斌, 王琪, 白春江, 杨晶, 胡天存, 谢贵柏, 崔万照
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  • 降低表面的二次电子产额是抑制微波部件二次电子倍增效应和提升功率阈值的有效途径之一,目前主要采用在表面构造陷阱结构和沉积非金属薄膜的方法降低二次电子产额,其缺点是会改变部件的电性能.针对此问题,采用在表面沉积高功函数且化学惰性的金属薄膜来降低二次电子产额.首先,采用磁控溅射方法在铝合金镀银样片表面沉积100 nm铂,测量结果显示沉积铂后样片的二次电子产额最大值由2.40降至1.77,降幅达26%.其次,用相关唯象模型对二次电子发射特性测量数据进行了拟合,获得了在401500 eV能量范围内能够准确描述样片二次电子产额特性的Vaughan模型参数,以及在050 eV能量范围内能够很好地拟合二次电子能谱曲线的Chung-Everhart模型参数.最后,将获得的实验数据和相关拟合参数用于Ku频段阻抗变换器的二次电子倍增效应功率阈值仿真研究,结果表明通过沉积铂可将部件的功率阈值由7500 W提升至36000 W,证实了所提方法的有效性.研究结果为金属材料二次电子发射特性的研究提供实验数据参考,对抑制大功率微波部件二次电子倍增效应具有参考价值.
      通信作者: 崔万照, cuiwanzhao@126.com
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:U1537211,11675278,51675421)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2017-12-26
  • 修回日期:  2018-02-07
  • 刊出日期:  2018-04-20

磁控溅射铂抑制镀银表面的二次电子发射

  • 1. 中国空间技术研究院西安分院, 空间微波技术重点实验室, 西安 710100;
  • 2. 西安交通大学电子与信息工程学院, 西安 710049
  • 通信作者: 崔万照, cuiwanzhao@126.com
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:U1537211,11675278,51675421)资助的课题.

摘要: 降低表面的二次电子产额是抑制微波部件二次电子倍增效应和提升功率阈值的有效途径之一,目前主要采用在表面构造陷阱结构和沉积非金属薄膜的方法降低二次电子产额,其缺点是会改变部件的电性能.针对此问题,采用在表面沉积高功函数且化学惰性的金属薄膜来降低二次电子产额.首先,采用磁控溅射方法在铝合金镀银样片表面沉积100 nm铂,测量结果显示沉积铂后样片的二次电子产额最大值由2.40降至1.77,降幅达26%.其次,用相关唯象模型对二次电子发射特性测量数据进行了拟合,获得了在401500 eV能量范围内能够准确描述样片二次电子产额特性的Vaughan模型参数,以及在050 eV能量范围内能够很好地拟合二次电子能谱曲线的Chung-Everhart模型参数.最后,将获得的实验数据和相关拟合参数用于Ku频段阻抗变换器的二次电子倍增效应功率阈值仿真研究,结果表明通过沉积铂可将部件的功率阈值由7500 W提升至36000 W,证实了所提方法的有效性.研究结果为金属材料二次电子发射特性的研究提供实验数据参考,对抑制大功率微波部件二次电子倍增效应具有参考价值.

English Abstract

参考文献 (28)

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