搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

AlGaN/GaN 高电子迁移率器件外部边缘电容的物理模型

刘乃漳 张雪冰 姚若河

AlGaN/GaN 高电子迁移率器件外部边缘电容的物理模型

刘乃漳, 张雪冰, 姚若河
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  36
  • PDF下载量:  8
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2019-12-20

AlGaN/GaN 高电子迁移率器件外部边缘电容的物理模型

    基金项目: 国家级-国家重点研究计划(2018YFB1802100)

摘要: AlGaN/GaN HEMT外部边缘电容Cofd是由栅极垂直侧壁与二维电子气水平壁之间的电场构成的等效电容。本文基于保角映射法对Cofd进行了物理建模,考虑了沟道长度调制效应,研究了外部偏置,阈值电压漂移和温度变化对Cofd的影响:随着漏源偏压从零开始增加,Cofd先保持不变再开始衰减,其衰减速率随栅源偏压的增加而减缓;AlGaN势垒层中施主杂质浓度的减小和Al组分的减小都可引起阈值电压的正向漂移,正向阈值漂移会加强沟道长度调制效应对Cofd的影响,导致Cofd呈线性衰减。在大漏极偏压工作情况下,Cofd对器件工作温度的变化更加敏感。

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回