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一价铝离子能级结构的多通道量子亏损理论分析

杨力

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一价铝离子能级结构的多通道量子亏损理论分析

杨力

AN ANALYSIS OF ENERGY LEVEL STRUCTURES FOR SINGLE IONIZED ALUMINUM BY MQDT

YANG LI
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出版历程
  • 收稿日期:  1991-01-14
  • 刊出日期:  1991-06-05

一价铝离子能级结构的多通道量子亏损理论分析

  • 1. 郑州测绘学院物理系,郑州,450052

摘要: 利用多通道量子亏损理论(MQDT)对一价铝离子(AIII)的各受干扰序列:3sns 1S0,3snp 3P0,1,2O,1P1O,3snd 1D2和3snf3F2,3,4O的能级结构进行理论分析。结果表明:前两个序列所受到的干扰较弱,后三个序列则受到了来自干扰态3p4s 1P1O,3p2 1D2和3p3d3F2,3,4O的强烈干扰,而3snf 1F3O序列则受到来自电离限上方干扰态的影响。利用获得的MQDT参数推算出3p3d 1F3O干扰态位于电离限上方5613cm-1处,这一结果与其他作者的预言相符合。

English Abstract

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