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具有InAlAs浸润层的InGaAs量子点的制备和特性研究

朱天伟 张元常 徐 波 刘峰奇 王占国

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具有InAlAs浸润层的InGaAs量子点的制备和特性研究

朱天伟, 张元常, 徐 波, 刘峰奇, 王占国

Optical properties of InGaAs self-assembled quantum dots with InAlAs wetting lay er

Zhu Tian-Wei, Zhang Yuan-Chang, Xu Bo, Liu Feng-Qi, Wang Zhan-Guo
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  • 采用自组装方法生长了一种新型的InGaAs量子点/InAlAs浸润层结构.通过选取合适的In组分 ,使InAlAs浸润层的能级与GaAs势垒相当,从而使浸润层的量子阱特征消失.通过低温光致 发光(PL)谱的测试分析得到InGaAs量子点/InAlAs浸润层在样品中的确切位置.变温PL谱的 研究显示,具有这种结构的量子点发光峰的半高全宽随温度上升出现展宽,这明显区别于普 通InGaAs量子点半高全宽变窄的行为.这是因为采用了InAlAs浸润层后,不仅增强了对InGaA s量子点的限制作用,同时切断了载流子的
    A new self-assembled quantum dots system where InGaAs dots are formed on InAlAs wetting layer and embedded in GaAs matrix has been fabricated. The photolumines cence linewidth increases with increasing temperature, which is very different from normal In(Ga)As/GaAs quantum dots. The results are attributed to a higher e nergy of the wetting layer which breaks the carrier transfer channel between dot s and keeps the dots more isolated from each other.
    • 基金项目: 国家重点基础研究专项基金(批准号:G2000068303)、国家自然科学基金(批准号:6007 6024,90101002,90201033)、国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA311070)和中国科 学院知识创新重大项目(批准号:KJCX1-06-06)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-11-14
  • 修回日期:  2002-12-30
  • 刊出日期:  2003-04-05

具有InAlAs浸润层的InGaAs量子点的制备和特性研究

  • 1. 中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室,北京 100083
    基金项目: 

    国家重点基础研究专项基金(批准号:G2000068303)、国家自然科学基金(批准号:6007 6024,90101002,90201033)、国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA311070)和中国科 学院知识创新重大项目(批准号:KJCX1-06-06)资助的课题.

摘要: 采用自组装方法生长了一种新型的InGaAs量子点/InAlAs浸润层结构.通过选取合适的In组分 ,使InAlAs浸润层的能级与GaAs势垒相当,从而使浸润层的量子阱特征消失.通过低温光致 发光(PL)谱的测试分析得到InGaAs量子点/InAlAs浸润层在样品中的确切位置.变温PL谱的 研究显示,具有这种结构的量子点发光峰的半高全宽随温度上升出现展宽,这明显区别于普 通InGaAs量子点半高全宽变窄的行为.这是因为采用了InAlAs浸润层后,不仅增强了对InGaA s量子点的限制作用,同时切断了载流子的

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