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横向外延过生长磷化铟材料的生长速率模型

刘 磊 任晓敏 周 静 王 琦 熊德平 黄 辉 黄永清

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横向外延过生长磷化铟材料的生长速率模型

刘 磊, 任晓敏, 周 静, 王 琦, 熊德平, 黄 辉, 黄永清

Growth rate model of InP epitaxial lateral overgrowth

Liu Lei, Ren Xiao-Min, Zhou Jing, Wang Qi, Xiong De-Ping, Huang Hui, Huang Yong-Qing
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-08-10
  • 修回日期:  2007-02-01
  • 刊出日期:  2007-03-05

横向外延过生长磷化铟材料的生长速率模型

  • 1. (1)北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京 100876; (2)北京邮电大学继续教育学院,北京 100876
    基金项目: 国家重点基础研究发展计划(批准号:2003CB314901),教育部“新世纪人才支持计划”(批准号:NCET-05-0111)和国家自然科学基金(批准号:60576018)资助的课题.

摘要: 分别考虑气相扩散和掩膜表面扩散过程,建立了金属有机化学气相沉积条件下横向外延过生长的速率模型. 在砷化镓衬底上外延磷化铟条件下,模拟得到了生长速率随掩膜/窗口宽度(m/w)变化的关系. 通过讨论掩膜/窗口宽度的影响,说明了掩膜宽度、窗口宽度以及有效掩膜宽度是决定生长速率的关键因素. 以上结论与实验结果一致.

English Abstract

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