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(CdZnTe, ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中激子隧穿过程

金 华 刘 舒 张振中 张立功 郑著宏 申德振

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(CdZnTe, ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中激子隧穿过程

金 华, 刘 舒, 张振中, 张立功, 郑著宏, 申德振

Exciton tunnelling in (CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe complex quantum wells

Jin Hua, Liu Shu, Zhang Zhen-Zhong, Zhang Li-Gong, Zheng Zhu-Hong, Shen De-Zhen
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-01-05
  • 修回日期:  2008-02-02
  • 刊出日期:  2008-05-05

(CdZnTe, ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中激子隧穿过程

  • 1. (1)中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,长春 130033; (2)中国人民公安大学安全防范系,北京 102416
    基金项目: 国家自然科学基金(批准号:60278031,60176003和60376009)资助的课题.

摘要: 设计了(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构,并用吸收光谱、室温光致发光谱和飞秒脉冲抽运-探测方法研究了该复合结构中的激子隧穿过程.分别测量了该结构中CdZnTe/ZnTe量子阱层和ZnSeTe/ZnTe量子阱层中激子衰减时间.观察到从CdZnTe/ZnTe量子阱层向ZnSeTe/ZnTe量子阱层的快速激子隧穿,隧穿时间为5.5ps.

English Abstract

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