[1] |
贺艳斌, 白熙. 一维线性非共轭石墨烯基(CH2)n分子链的电子输运. 物理学报,
2021, 70(4): 046201.
doi: 10.7498/aps.70.20200953
|
[2] |
樊帅伟, 王日高. 电极位置和截面尺寸对分子器件输运性质的调控. 物理学报,
2018, 67(21): 213101.
doi: 10.7498/aps.67.20180974
|
[3] |
柳福提, 程艳, 陈向荣, 程晓洪. GaAs纳米结点电子输运性质的第一性原理计算. 物理学报,
2014, 63(13): 137303.
doi: 10.7498/aps.63.137303
|
[4] |
柳福提, 程艳, 陈向荣, 程晓洪, 曾志强. Au-Si60-Au分子结电子输运性质的理论计算. 物理学报,
2014, 63(17): 177304.
doi: 10.7498/aps.63.177304
|
[5] |
柳福提, 程艳, 羊富彬, 程晓洪, 陈向荣. Au-Si-Au结点电子输运性质的第一性原理计算. 物理学报,
2013, 62(10): 107401.
doi: 10.7498/aps.62.107401
|
[6] |
范志强, 谢芳. 硼氮原子取代掺杂对分子器件负微分电阻效应的影响. 物理学报,
2012, 61(7): 077303.
doi: 10.7498/aps.61.077303
|
[7] |
张迷, 陈元平, 张再兰, 欧阳滔, 钟建新. 堆叠石墨片对锯齿型石墨纳米带电子输运的影响. 物理学报,
2011, 60(12): 127204.
doi: 10.7498/aps.60.127204
|
[8] |
程霞, 杨传路, 童小菲, 王美山, 马晓光. Na掺杂对C20H20分子的电子输运性质影响. 物理学报,
2011, 60(1): 017302.
doi: 10.7498/aps.60.017302
|
[9] |
赵佩, 郑继明, 陈有为, 郭平, 任兆玉. 单壁碳纳米管吸附氧分子的电子输运性质理论研究. 物理学报,
2011, 60(6): 068501.
doi: 10.7498/aps.60.068501
|
[10] |
邓小清, 周继承, 张振华. 端基对分子器件整流性质的影响. 物理学报,
2010, 59(4): 2714-2720.
doi: 10.7498/aps.59.2714
|
[11] |
戴满媛, 聂义友, 桑明煌, 王贤平, 殷澄, 曹庄琪. 零势场中变质量粒子的束缚能谱. 物理学报,
2010, 59(11): 7586-7590.
doi: 10.7498/aps.59.7586
|
[12] |
安义鹏, 杨传路, 王美山, 马晓光, 王德华. C20F20分子电子输运性质的第一性原理研究. 物理学报,
2010, 59(3): 2010-2015.
doi: 10.7498/aps.59.2010
|
[13] |
何济洲, 贺兵香. 考虑透射概率的能量选择性电子热泵. 物理学报,
2010, 59(4): 2345-2349.
doi: 10.7498/aps.59.2345
|
[14] |
郑新亮, 郑继明, 任兆玉, 郭平, 田进寿, 白晋涛. 钽硅团簇电子输运性质的第一性原理研究. 物理学报,
2009, 58(8): 5709-5715.
doi: 10.7498/aps.58.5709
|
[15] |
夏蔡娟, 房常峰, 胡贵超, 李冬梅, 刘德胜, 解士杰, 赵明文. 官能团对分子器件电输运特性的影响. 物理学报,
2008, 57(5): 3148-3154.
doi: 10.7498/aps.57.3148
|
[16] |
夏蔡娟, 房常峰, 胡贵超, 李冬梅, 刘德胜, 解士杰. 分子的位置取向对分子器件电输运特性的影响. 物理学报,
2007, 56(8): 4884-4890.
doi: 10.7498/aps.56.4884
|
[17] |
周艳红, 许 英, 郑小宏. 水分子对碳链的输运性质影响的第一性原理研究. 物理学报,
2007, 56(2): 1093-1098.
doi: 10.7498/aps.56.1093
|
[18] |
马 勇, 邹 斌, 李宗良, 王传奎, 罗 毅. 六元杂环分子电学特性的理论研究. 物理学报,
2006, 55(4): 1974-1978.
doi: 10.7498/aps.55.1974
|
[19] |
杜桂强, 刘念华. 具有镜像对称结构的一维光子晶体的透射谱. 物理学报,
2004, 53(4): 1095-1098.
doi: 10.7498/aps.53.1095
|
[20] |
张进城, 郝跃, 李培咸, 范隆, 冯倩. 基于透射谱的GaN薄膜厚度测量. 物理学报,
2004, 53(4): 1243-1246.
doi: 10.7498/aps.53.1243
|