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量子点浮置栅量子线沟道三栅结构单电子场效应管存储特性的数值模拟

刘 奎 丁宏林 张贤高 余林蔚 黄信凡 陈坤基

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量子点浮置栅量子线沟道三栅结构单电子场效应管存储特性的数值模拟

刘 奎, 丁宏林, 张贤高, 余林蔚, 黄信凡, 陈坤基

Simulation of a triple-gate single electron FET memory with a quantum dot floating gate and a quantum wire channel

Liu Kui, Ding Hong-Lin, Zhang Xian-Gao, Yu Lin-Wei, Huang Xin-Fan, Chen Kun-Ji
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-12-03
  • 修回日期:  2008-05-09
  • 刊出日期:  2008-11-20

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