p型透明导电材料BaSnO3的第一性原理研究

谭兴毅; 陈长乐; 金克新

doi:10.7498/aps.60.107105

摘要

基于密度泛函理论,从头计算了N以及N和Sb共掺BaSnO3的电子结构和光学性质.结果表明N单掺BaSnO3与N和Sb共掺BaSnO3均为p型透明导电材料,在可见光区透过率均在80%以上,且N和Sb共掺具有更高的电导率.计算结果为实验上制备p型钙钛矿结构透明导电材料提供了强有力的理论指导.

关键词:

Based on density functional theory calculations, the electronic properties of N-doped BaSnO3 and N and Sb codoping are investigated. It is found that codoping with N acceptors and Nb donors in a ratio of 2 ∶1 is suitable for the fabrication of low-resistivity p-type BaSnO3. Our results indicate that codoping with N acceptors and Nb donors is a prospective candidate as a p-type transparent conductive material.

Keywords:

p-type transparent conductive material /
electronic structures /
optical properties

作者及机构信息

1.
西北工业大学凝聚态结构与性质陕西省重点实验室,西安 710129

基金项目: 国家自然科学基金(批准号:61078057,50702046)、西北工业大学基础研究基金(批准号: NPU-FFR-JC200821,JC201048)和西北工业大学翱翔之星项目资助的课题.

Authors and contacts

1.
Shannxi Key Laboratory of Condensed Matter Structures and Properties, School of Science, Northwestern Polytechnical University,Xi'an 710129, China

参考文献

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施引文献

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