二次渗滤现象对镍基导电硅橡胶屏蔽性能的影响

李  鹏; 刘顺华; 陈光昀

doi:10.7498/aps.54.3332

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二次渗滤现象对镍基导电硅橡胶屏蔽性能的影响

李鹏 , 刘顺华 , 陈光昀

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二次渗滤现象对镍基导电硅橡胶屏蔽性能的影响

李鹏, 刘顺华, 陈光昀

物理学报, 2005, 54(7): 3332-3336.

doi: 10.7498/aps.54.3332

Influence of double-percolation phenomenon on shielding effectiveness of Ni-based conductive silicone rubber

Li Peng, Liu Shun-Hua, Chen Guang-Yun

Acta Phys. Sin., 2005, 54(7): 3332-3336.

doi: 10.7498/aps.54.3332

摘要
通过对镍粉填充RTV硅橡胶的电阻率的测量确定了镍基导电硅橡胶的渗滤值点. 在此基础上添加不同含量的炭黑，发现了有别于单一导电填料填充两相体系的渗滤值规律，即二次渗滤现象. 根据导电机理模型推测了二次渗滤现象产生的原因，并对实验结果进行了拟合. 同时针对高导电硅橡胶的屏蔽性能，发现可用Schelkunoff理论较好地描述其屏蔽效果. 结合二次渗滤现象，分析了其对屏蔽性能的影响.

关键词:
镍粉 /

渗滤阈值 /

二次渗滤现象 /

导电机理
Abstract
By measuring the electrical resistivity of RTV silicone rubber with Ni powder, t he percolation threshold of Ni-based conductive silicone rubber was determined. When N234 was filled in Ni-based conductive silicone rubber,double-percolation p henomenon was found other than percolation law. After fitting of the experimenta l results,the mechanism of the double-percolation phenomenon was presumed. As fo r the shielding effectiveness of high conductive silicone rubber, the result sh ows that it can be described well with the Schelkunoff theory.The influence of double-percolation phenomenon on shielding effectiveness of the rubber was investigated.

Keywords:
nickel powder /

percolation threshold /

double-percolation phenomeno n /

conductive mechanism
作者及机构信息
李鹏,

刘顺华,

陈光昀

1.
大连理工大学材料科学与工程系，大连 116023

基金项目: 国家自然科学基金（批准号：50371012）和辽宁省科学技术基金（批准号：20032125）资助的课题.
Authors and contacts
Li Peng,

Liu Shun-Hua,

Chen Guang-Yun

1.
大连理工大学材料科学与工程系，大连 116023
参考文献

施引文献

[1]	刘骐萱, 王永平, 刘文军, 丁士进. 基于Ni电极和ZrO2/SiO2/ZrO2介质的MIM电容的导电机理研究. 物理学报, 2017, 66(8): 087301. doi: 10.7498/aps.66.087301
[2]	危卫, 张力元, 顾兆林. 工业中粉体颗粒的荷电机理及数值模拟方法. 物理学报, 2015, 64(16): 168301. doi: 10.7498/aps.64.168301
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[4]	李蕾蕾, 于宗光, 肖志强, 周昕杰. SOI SONOS EEPROM 总剂量辐照阈值退化机理研究. 物理学报, 2011, 60(9): 098502. doi: 10.7498/aps.60.098502
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[6]	王学昭, 沈容, 路阳, 纪爱玲, 孙刚, 陆坤权, 崔平. 极性分子型电流变液导电机理研究. 物理学报, 2010, 59(10): 7144-7148. doi: 10.7498/aps.59.7144
[7]	李珂, 董瑞新, 班戈, 韩洪文, 苏伟, 闫循领. 镍离子对DNA结构和导电性的影响. 物理学报, 2009, 58(9): 6477-6481. doi: 10.7498/aps.58.6477
[8]	陈环, 彭振康, 傅刚. 碳湿敏膜的非线性感湿特性和导电机理. 物理学报, 2009, 58(11): 7904-7908. doi: 10.7498/aps.58.7904
[9]	李盛涛, 成鹏飞, 杨雁, 张乐. ZnO压敏陶瓷电导研究的新方法. 物理学报, 2009, 58(4): 2543-2548. doi: 10.7498/aps.58.2543
[10]	杨银堂, 武军, 蔡玉荣, 丁瑞雪, 宋久旭, 石立春. p型K:ZnO导电机理的第一性原理研究. 物理学报, 2008, 57(11): 7151-7156. doi: 10.7498/aps.57.7151
[11]	魏智强, 夏天东, 王君, 吴志国, 闫鹏勋. 纳米镍粉体的晶格膨胀. 物理学报, 2007, 56(2): 1004-1008. doi: 10.7498/aps.56.1004
[12]	吴健荣. 广义系统族的二次稳定与二次镇定. 物理学报, 2004, 53(2): 325-330. doi: 10.7498/aps.53.325
[13]	张寒虹, 陈志福. 水中高压放电的二次放电现象. 物理学报, 2001, 50(4): 748-751. doi: 10.7498/aps.50.748
[14]	刘启明, 赵修建, 干福熹. Ge-As-S体系玻璃中光学二次谐波发生及其极化机理分析. 物理学报, 2000, 49(9): 1726-1730. doi: 10.7498/aps.49.1726
[15]	夏正才, 唐超群. La1-xSrxMnO3阴极材料的导电机理研究. 物理学报, 1999, 48(8): 1518-1522. doi: 10.7498/aps.48.1518
[16]	崔万秋, 沈志奇, 周德保. Li2Mo2-xWxO6多晶材料的结构、电学性能与导电机理的研究. 物理学报, 1993, 42(7): 1101-1109. doi: 10.7498/aps.42.1101
[17]	崔万秋；沈志奇；周德保. Li_2Mo_2-x_W_xO_6多晶材料的结构_电学性能与导电机理的研究. 物理学报, 1991, 40(7): 1101-1109. doi: 10.7498/aps.40.1101
[18]	陈立群. 关于含二次非线性项受迫振动系统的混沌现象. 物理学报, 1989, 38(11): 1874-1876. doi: 10.7498/aps.38.1874
[19]	倪皖荪, 魏荣爵. 含二次非线性项受迫振动系统中的分岔与混沌现象. 物理学报, 1985, 34(4): 503-511. doi: 10.7498/aps.34.503
[20]	朱昂如, 吴西林. 用能化电子效应考察二次离子的发射机理. 物理学报, 1984, 33(10): 1475-1479. doi: 10.7498/aps.33.1475

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物理学报. 2005, 54(7): 3332-3336.

doi: 10.7498/aps.54.3332.

二次渗滤现象对镍基导电硅橡胶屏蔽性能的影响

1. 大连理工大学材料科学与工程系，大连 116023

基金项目: 国家自然科学基金（批准号：50371012）和辽宁省科学技术基金（批准号：20032125）资助的课题.

收稿日期: 2004-09-10
修回日期: 2004-12-09
刊出日期: 2005-07-07

摘要: 通过对镍粉填充RTV硅橡胶的电阻率的测量确定了镍基导电硅橡胶的渗滤值点. 在此基础上添加不同含量的炭黑，发现了有别于单一导电填料填充两相体系的渗滤值规律，即二次渗滤现象. 根据导电机理模型推测了二次渗滤现象产生的原因，并对实验结果进行了拟合. 同时针对高导电硅橡胶的屏蔽性能，发现可用Schelkunoff理论较好地描述其屏蔽效果. 结合二次渗滤现象，分析了其对屏蔽性能的影响.

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