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高纯锗中浅受主的光热电离光谱

余晨辉 张 波 余丽波 李亚军 陆 卫 沈学础

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高纯锗中浅受主的光热电离光谱

余晨辉, 张 波, 余丽波, 李亚军, 陆 卫, 沈学础

Photo-thermal ionization spectroscopy of shallow acceptors in high purity germanium

Yu Chen-Hui, Zhang Bo, Yu Li-Bo, Li Ya-Jun, Lu Wei, Shen Xue-Chu
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-06-11
  • 修回日期:  2007-06-26
  • 刊出日期:  2008-01-05

高纯锗中浅受主的光热电离光谱

  • 1. (1)西南技术物理研究所,光电器件部,成都 610041; (2)中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海 200083; (3)中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海 200083;西南技术物理研究所,光电器件部,成都 610041
    基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 10474107)和上海市基础研究重大项目(批准号:06dj14008)资助的课题.

摘要: 在液氦温度附近, 运用傅里叶变换光谱以及与之相连的磁光光谱系统, 对室温电阻率约为50Ω·cm的p型高纯锗样品进行了高灵敏度的光热电离光谱的研究.从实验上确定了高纯锗样品中浅杂质光热电离的最佳温度范围, 在该温度范围内测量了样品的光热电离光谱, 指出该样品中主要杂质为浅受主硼与铝. 对杂质谱线发生分裂的两种原因, 补偿性杂质导致的快速复合以及随机应力等, 进行了分析讨论.

English Abstract

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