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一种InP双异质结双极晶体管小信号物理模型及其提取方法

葛霁 金智 苏永波 程伟 刘新宇 吴德馨

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一种InP双异质结双极晶体管小信号物理模型及其提取方法

葛霁, 金智, 苏永波, 程伟, 刘新宇, 吴德馨

A physical-model of small-signal InP-based double heterojunction bipolar transistors and its parameter extraction technique

Ge Ji, Jin Zhi, Su Yong-Bo, Cheng Wei, Liu Xin-Yu, Wu De-Xin
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-03-27
  • 修回日期:  2009-04-21
  • 刊出日期:  2009-06-05

一种InP双异质结双极晶体管小信号物理模型及其提取方法

  • 1. 中国科学院微电子研究所,北京 100029
    基金项目: 中国科学院“百人计划”资助的课题.

摘要: 研究了InP双异质结双极晶体管(DHBT)的能带结构对集电极电容的影响,解决了传统方法不能准确提取InP DHBT集电极电容的问题.考虑了基极-发射极和集电极-发射极引线间的交叠电容,并从物理上区分了InP DHBT的本征电阻、外部电阻与寄生电阻,建立了一个基于物理的InP基DHBT小信号模型.同时提出了一套直接提取模型参数的方法,该方法无需引入数学优化,具有清晰的物理意义.提取的结果在很宽的偏置范围内准确地拟合了器件特性,验证了模型的准确性与提取方法的有效性.

English Abstract

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