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异质结界面电荷对突变InP/InGaAs异质结双极晶体管热场发射影响研究

周守利 李伽 任宏亮 温浩 彭银生

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异质结界面电荷对突变InP/InGaAs异质结双极晶体管热场发射影响研究

周守利, 李伽, 任宏亮, 温浩, 彭银生

The impact of interface charges at the heterojunction on the carriers transport in abrupt InP/InGaAs heterojunction bipolar transistor

Zhou Shou-Li, Li Jia, Ren Hong-Liang, Wen Hao, Peng Yin-Sheng
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-03-25
  • 修回日期:  2013-05-22
  • 刊出日期:  2013-09-05

异质结界面电荷对突变InP/InGaAs异质结双极晶体管热场发射影响研究

  • 1. 浙江工业大学信息学院,  杭州 310023
    基金项目: 浙江省自然科学基金(批准号: LY12F04003)和信息功能材料国家重点实验室2009开放基金(批准号: FMI2009-08)资助的课题.

摘要: 异质结界面电荷的存在改变了异质结的内建势, 这引起了界面势垒尖峰高度和形状的扰动, 从而使异质结界面载流子的输运产生相应的变化, 最终导致异质结双极晶体管 (HBT) 性能的改变. 基于热场发射-扩散模型, 对异质结界面电荷对InP/InGaAs HBT性能的改变做了研究, 得到结论是正极性的界面电荷有利于InP/InGaAs HBT的直流和高频特性的改善, 而负极性的界面电荷则使器件的直流和高频特性变差.

English Abstract

参考文献 (16)

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