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VN分子R线系跃迁结构的研究与分析

付佳 樊群超 孙卫国 胡石 江永红

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VN分子R线系跃迁结构的研究与分析

付佳, 樊群超, 孙卫国, 胡石, 江永红

Studies on the R-branch emission spectral lines of VN molecules

Fu Jia, Fan Qun-Chao, Sun Wei-Guo, Hu Shi, Jiang Yong-Hong
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-07-20
  • 修回日期:  2013-09-06
  • 刊出日期:  2013-12-05

VN分子R线系跃迁结构的研究与分析

  • 1. 四川大学物理科学与技术学院, 成都 610065;
  • 2. 西华大学物理与化学学院, 先进计算研究中心, 成都 610039
    基金项目: 国家自然科学基金(批准号:11074204,11204244)和四川省科技厅青年基金(批准号:2012JQ0055)资助的课题.

摘要: 本文借助孙卫国课题组建立的能精确计算双原子分子R线系发射谱线的物理公式,利用实验上获得的低振动态跃迁谱线数据研究了电极材料VN分子电子态f1Φ–a1Δ以及电子态d1∑+–X3Δ1等跃迁体系的(0,0)跃迁带的R线系发射谱线. 从理论上预言了实验上难以获得的该跃迁带R线系高振转激发态的跃迁结构,为急需VN分子内部结构的其他研究领域提供了重要的结构信息. 从这些公式出发,我们定义了表征实验测定谱线对新谱线的贡献度C(contribution)参数,进一步分析了高激发振转跃迁谱线的相互依赖关系,结果表明该物理公式不仅很好地复现了已知的实验数据,正确地预言了实验未能测定的高激发振转跃迁谱线,而且还能了解不同实验谱线对新谱线的贡献程度,基于这些贡献度,实验学家可以将有限的资源更好地进行分配,重点研究那些贡献度大的振转跃迁谱线.

English Abstract

参考文献 (18)

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