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SOI MOSFET转移特性中的深度饱和现象研究

郝跃 朱建纲 郭林 张正幡

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SOI MOSFET转移特性中的深度饱和现象研究

郝跃, 朱建纲, 郭林, 张正幡

HAO YUE, ZHU JIAN-GANG, GUO LIN, ZHANG ZHENG-FAN
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出版历程
  • 刊出日期:  2006-12-22

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