搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

高迁移率In0.6Ga0.4As沟道MOSHEMT与MOSFET器件特性的研究

常虎东 孙兵 卢力 赵威 王盛凯 王文新 刘洪刚

引用本文:
Citation:

高迁移率In0.6Ga0.4As沟道MOSHEMT与MOSFET器件特性的研究

常虎东, 孙兵, 卢力, 赵威, 王盛凯, 王文新, 刘洪刚

Study on high mobility In0.6Ga0.4As channel MOSHEMT and MOSFET

Chang Hu-Dong, Sun Bing, Lu Li, Zhao Wei, Wang Sheng-Kai, Wang Wen-Xin, Liu Hong-Gang
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  5898
  • PDF下载量:  754
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2012-03-08
  • 修回日期:  2012-05-11
  • 刊出日期:  2012-11-05

/

返回文章
返回