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应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管电荷模型

周春宇 张鹤鸣 胡辉勇 庄奕琪 吕懿 王斌 王冠宇

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应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管电荷模型

周春宇, 张鹤鸣, 胡辉勇, 庄奕琪, 吕懿, 王斌, 王冠宇

Charge model of strained Si NMOSFET

Zhou Chun-Yu, Zhang He-Ming, Hu Hui-Yong, Zhuang Yi-Qi, Lü Yi, Wang Bin, Wang Guan-Yu
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-08-29
  • 修回日期:  2013-09-12
  • 刊出日期:  2014-01-05

应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管电荷模型

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071;
  • 2. 重庆邮电大学光电工程学院, 重庆 400065
    基金项目: 教育部博士点基金(批准号:JY0300122503)、中央高校基本业务费(批准号:K5051225014;K5051225004)和陕西省自然科学基金(批准号:2010JQ8008)资助的课题.

摘要: 基于应变Si/SiGe器件结构,本文建立了统一的应变Si NMOSFET电荷模型. 该模型采用电荷作为状态变量,解决了电荷守恒问题. 同时采用平滑函数,实现了应变Si NMOSFET端口电荷及其电容,从亚阈值区到强反型区以及从线性区到饱和区的平滑性,解决了模型的连续性问题. 然后采用模拟硬件描述语言Verilog-A建立了电容模型. 通过将模型的仿真结果和实验结果对比分析,验证了所建模型的有效性. 该模型可为应变Si集成电路分析、设计提供重要参考.

English Abstract

参考文献 (14)

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