[1] |
张明兰, 杨瑞霞, 李卓昕, 曹兴忠, 王宝义, 王晓晖. GaN厚膜中的质子辐照诱生缺陷研究. 物理学报,
2013, 62(11): 117103.
doi: 10.7498/aps.62.117103
|
[2] |
伍君博, 唐新桂, 贾振华, 陈东阁, 蒋艳平, 刘秋香. 钇和镧掺杂氧化铝陶瓷的热导及其介电弛豫特性研究. 物理学报,
2012, 61(20): 207702.
doi: 10.7498/aps.61.207702
|
[3] |
常虎东, 孙兵, 卢力, 赵威, 王盛凯, 王文新, 刘洪刚. 高迁移率In0.6Ga0.4As沟道MOSHEMT与MOSFET器件特性的研究. 物理学报,
2012, 61(21): 217304.
doi: 10.7498/aps.61.217304
|
[4] |
乔建良, 常本康, 钱芸生, 王晓晖, 李飙, 徐源. GaN真空面电子源光电发射机理研究. 物理学报,
2011, 60(12): 127901.
doi: 10.7498/aps.60.127901
|
[5] |
金豫浙, 胡益培, 曾祥华, 杨义军. GaN基多量子阱蓝光LED的γ辐照效应. 物理学报,
2010, 59(2): 1258-1262.
doi: 10.7498/aps.59.1258
|
[6] |
毕志伟, 冯倩, 郝跃, 岳远征, 张忠芬, 毛维, 杨丽媛, 胡贵州. Al2O3介质层厚度对AlGaN/GaN金属氧化物半导体-高电子迁移率晶体管性能的影响. 物理学报,
2009, 58(10): 7211-7215.
doi: 10.7498/aps.58.7211
|
[7] |
熊传兵, 江风益, 方文卿, 王 立, 莫春兰. 硅衬底GaN蓝色发光材料转移前后应力变化研究. 物理学报,
2008, 57(5): 3176-3181.
doi: 10.7498/aps.57.3176
|
[8] |
周 梅, 赵德刚. p-GaN层厚度对GaN基p-i-n结构紫外探测器性能的影响. 物理学报,
2008, 57(7): 4570-4574.
doi: 10.7498/aps.57.4570
|
[9] |
廖国进, 闫绍峰, 巴德纯. 铈掺杂氧化铝薄膜的蓝紫色发光特性. 物理学报,
2008, 57(11): 7327-7332.
doi: 10.7498/aps.57.7327
|
[10] |
周丽宏, 张崇宏, 李炳生, 杨义涛, 宋 银. 注入Ar+的蓝宝石晶体退火前后光致发光谱的分析. 物理学报,
2008, 57(4): 2562-2566.
doi: 10.7498/aps.57.2562
|
[11] |
周 梅, 左淑华, 赵德刚. 一种新型GaN基肖特基结构紫外探测器. 物理学报,
2007, 56(9): 5513-5517.
doi: 10.7498/aps.56.5513
|
[12] |
郭亮良, 冯 倩, 马香柏, 郝 跃, 刘 杰. GaN FP-HEMTs中击穿电压与电流崩塌的关系. 物理学报,
2007, 56(5): 2900-2904.
doi: 10.7498/aps.56.2900
|
[13] |
申 晔, 邢怀中, 俞建国, 吕 斌, 茅惠兵, 王基庆. 极化诱导的内建电场对Mn δ掺杂的GaN/AlGaN量子阱居里温度的调制. 物理学报,
2007, 56(6): 3453-3457.
doi: 10.7498/aps.56.3453
|
[14] |
宋 银, 王志光, 魏孔芳, 张崇宏, 刘纯宝, 臧 航, 周丽宏. 退火对He注入及随后208Pb27+辐照的Al2O3单晶PL谱的影响. 物理学报,
2007, 56(1): 551-555.
doi: 10.7498/aps.56.551
|
[15] |
周显明, 汪小松, 李赛男, 李 俊, 李加波, 经福谦. 强冲击压缩下LiF,Al2O3和LiTaO3单晶的透光性. 物理学报,
2007, 56(8): 4965-4970.
doi: 10.7498/aps.56.4965
|
[16] |
宋淑芳, 陈维德, 许振嘉, 徐叙瑢. 掺Er/Er+O的GaN薄膜光学性质的研究. 物理学报,
2007, 56(3): 1621-1626.
doi: 10.7498/aps.56.1621
|
[17] |
蒙 康, 姜森林, 侯利娜, 李 蝉, 王 坤, 丁志博, 姚淑德. Mg+注入对GaN晶体辐射损伤的研究. 物理学报,
2006, 55(5): 2476-2481.
doi: 10.7498/aps.55.2476
|
[18] |
宋淑芳, 陈维德, 许振嘉, 徐叙瑢. 掺Er/Pr的GaN薄膜深能级的研究. 物理学报,
2006, 55(3): 1407-1412.
doi: 10.7498/aps.55.1407
|
[19] |
万 威, 唐春艳, 王玉梅, 李方华. GaN晶体中堆垛层错的高分辨电子显微像研究. 物理学报,
2005, 54(9): 4273-4278.
doi: 10.7498/aps.54.4273
|
[20] |
秦 琦, 于乃森, 郭丽伟, 汪 洋, 朱学亮, 陈 弘, 周均铭. 使用SiNx原位淀积方法生长的GaN外延膜中的应力研究. 物理学报,
2005, 54(11): 5450-5454.
doi: 10.7498/aps.54.5450
|