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Al2O3绝缘层的AlGaN/GaN MOSHEMT器件研究

冯 倩 郝 跃 岳远征

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Al2O3绝缘层的AlGaN/GaN MOSHEMT器件研究

冯 倩, 郝 跃, 岳远征

Study of AlGaN/GaN MOSHEMT device with Al2O3 insulating film

Feng Qian, Hao Yue, Yue Yuan-Zheng
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-04-21
  • 修回日期:  2007-07-21
  • 刊出日期:  2008-03-20

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