GaN FP-HEMTs中击穿电压与电流崩塌的关系

郭亮良; 冯 倩; 马香柏; 郝 跃; 刘 杰

doi:10.7498/aps.56.2900

搜索

期刊名称:

年:

起始页:

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

GaN FP-HEMTs中击穿电压与电流崩塌的关系

郭亮良 , 冯倩 , 马香柏 , 郝跃 , 刘杰

引用本文:

Citation:

GaN FP-HEMTs中击穿电压与电流崩塌的关系

郭亮良, 冯倩, 马香柏, 郝跃, 刘杰

物理学报, 2007, 56(5): 2900-2904.

doi: 10.7498/aps.56.2900

Relation between breakdown voltage and current collapse in GaN FP-HEMTs

Guo Liang-Liang, Feng Qian, Ma Xiang-Bai, Hao Yue, Liu Jie

Acta Phys. Sin., 2007, 56(5): 2900-2904.

doi: 10.7498/aps.56.2900

摘要
研究了钝化在抑制电流崩塌的同时，会引起HEMT器件击穿电压的下降.而采用场板结构的AlGaN/GaN场板HEMT器件(FP-HEMT)的击穿电压从46V提高到了148V，表明了场板对提高击穿电压有显著作用(3倍以上).接着，比较了FP-HEMT器件与常规HEMT器件，钝化后HEMT器件在应力前后的电流崩塌程度，得出了采用场板结构比之钝化对器件抑制电流崩塌有更明显作用的结论.从理论上和实验上都表明，采用场板结构能够很好解决提高击穿电压与抑制电流崩塌之间的矛盾.

关键词:
GaN /

　场板 /

　击穿电压 /

　电流崩塌
Abstract
Passivation is generally used to suppress the current collapse, however, it also cause the decrease in breakdown voltage. By incorporating a field plate, the breakdown voltage was enhances from 46 to 148V as tested using the drain current inject technology (DCIT), which indicates that the field plate can increase the breakdown voltage remarkablely. Then, comparisons between the degrees of current collapse in the conventional HEMTs, the HEMTs after passivation and FP-HEMTs indicate that the field plate performs better in suppressing current collapse than passivation. It is conclusded that adopting the field plate structure is a good solution to the problem of incresing the breakdown voltage and at the same time suppressing the current collapse in GaN HEMTs.

Keywords:
GaN /

field plate /

breakdown voltage /

current collapse
作者及机构信息
郭亮良,

冯倩,

马香柏,

郝跃,

刘杰

1.
西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071

基金项目: 国家重大基础研究发展计划(973)(批准号： 51327020301，2002CB311904)和西安应用材料创新基金(批准号：XA-AM-200616)资助的课题.
Authors and contacts
Guo Liang-Liang,

Feng Qian,

Ma Xiang-Bai,

Hao Yue,

Liu Jie

1.
西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
参考文献

施引文献

[1]	黄斌斌, 熊传兵, 张超宇, 黄基锋, 王光绪, 汤英文, 全知觉, 徐龙权, 张萌, 王立, 方文卿, 刘军林, 江风益. 硅基板和铜基板垂直结构GaN基LED变温变电流发光性能的研究. 物理学报, 2014, 63(21): 217806. doi: 10.7498/aps.63.217806
[2]	张明兰, 杨瑞霞, 李卓昕, 曹兴忠, 王宝义, 王晓晖. GaN厚膜中的质子辐照诱生缺陷研究. 物理学报, 2013, 62(11): 117103. doi: 10.7498/aps.62.117103
[3]	陈程程, 刘立英, 王如志, 宋雪梅, 王波, 严辉. 不同基底的GaN纳米薄膜制备及其场发射增强研究. 物理学报, 2013, 62(17): 177701. doi: 10.7498/aps.62.177701
[4]	乔建良, 常本康, 钱芸生, 高频, 王晓晖, 徐源. 负电子亲和势GaN真空面电子源研究进展. 物理学报, 2011, 60(10): 107901. doi: 10.7498/aps.60.107901
[5]	乔建良, 常本康, 钱芸生, 王晓晖, 李飙, 徐源. GaN真空面电子源光电发射机理研究. 物理学报, 2011, 60(12): 127901. doi: 10.7498/aps.60.127901
[6]	薛正群, 黄生荣, 张保平, 陈朝. GaN基白光发光二极管失效机理分析. 物理学报, 2010, 59(7): 5002-5009. doi: 10.7498/aps.59.5002
[7]	金豫浙, 胡益培, 曾祥华, 杨义军. GaN基多量子阱蓝光LED的γ辐照效应. 物理学报, 2010, 59(2): 1258-1262. doi: 10.7498/aps.59.1258
[8]	乔建良, 田思, 常本康, 杜晓晴, 高频. 负电子亲和势GaN光电阴极激活机理研究. 物理学报, 2009, 58(8): 5847-5851. doi: 10.7498/aps.58.5847
[9]	熊传兵, 江风益, 方文卿, 王立, 莫春兰. 硅衬底GaN蓝色发光材料转移前后应力变化研究. 物理学报, 2008, 57(5): 3176-3181. doi: 10.7498/aps.57.3176
[10]	冯倩, 郝跃, 岳远征. Al2O3绝缘层的AlGaN/GaN MOSHEMT器件研究. 物理学报, 2008, 57(3): 1886-1890. doi: 10.7498/aps.57.1886
[11]	吕玲, 龚欣, 郝跃. 感应耦合等离子体刻蚀p-GaN的表面特性. 物理学报, 2008, 57(2): 1128-1132. doi: 10.7498/aps.57.1128
[12]	周梅, 赵德刚. p-GaN层厚度对GaN基p-i-n结构紫外探测器性能的影响. 物理学报, 2008, 57(7): 4570-4574. doi: 10.7498/aps.57.4570
[13]	周梅, 常清英, 赵德刚. 一种减小GaN基肖特基结构紫外探测器暗电流的方法. 物理学报, 2008, 57(4): 2548-2553. doi: 10.7498/aps.57.2548
[14]	周梅, 左淑华, 赵德刚. 一种新型GaN基肖特基结构紫外探测器. 物理学报, 2007, 56(9): 5513-5517. doi: 10.7498/aps.56.5513
[15]	申晔, 邢怀中, 俞建国, 吕斌, 茅惠兵, 王基庆. 极化诱导的内建电场对Mn δ掺杂的GaN/AlGaN量子阱居里温度的调制. 物理学报, 2007, 56(6): 3453-3457. doi: 10.7498/aps.56.3453
[16]	宋淑芳, 陈维德, 许振嘉, 徐叙瑢. 掺Er/Er+O的GaN薄膜光学性质的研究. 物理学报, 2007, 56(3): 1621-1626. doi: 10.7498/aps.56.1621
[17]	蒙康, 姜森林, 侯利娜, 李蝉, 王坤, 丁志博, 姚淑德. Mg+注入对GaN晶体辐射损伤的研究. 物理学报, 2006, 55(5): 2476-2481. doi: 10.7498/aps.55.2476
[18]	宋淑芳, 陈维德, 许振嘉, 徐叙瑢. 掺Er/Pr的GaN薄膜深能级的研究. 物理学报, 2006, 55(3): 1407-1412. doi: 10.7498/aps.55.1407
[19]	万威, 唐春艳, 王玉梅, 李方华. GaN晶体中堆垛层错的高分辨电子显微像研究. 物理学报, 2005, 54(9): 4273-4278. doi: 10.7498/aps.54.4273
[20]	秦琦, 于乃森, 郭丽伟, 汪洋, 朱学亮, 陈弘, 周均铭. 使用SiNx原位淀积方法生长的GaN外延膜中的应力研究. 物理学报, 2005, 54(11): 5450-5454. doi: 10.7498/aps.54.5450

计量

文章访问数: 8072
PDF下载量: 1179
被引次数: 0

物理学报. 2007, 56(5): 2900-2904.

doi: 10.7498/aps.56.2900.

GaN FP-HEMTs中击穿电压与电流崩塌的关系

1. 西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071

基金项目: 国家重大基础研究发展计划(973)(批准号： 51327020301，2002CB311904)和西安应用材料创新基金(批准号：XA-AM-200616)资助的课题.

收稿日期: 2006-09-15
修回日期: 2006-10-15
刊出日期: 2007-05-20

摘要: 研究了钝化在抑制电流崩塌的同时，会引起HEMT器件击穿电压的下降.而采用场板结构的AlGaN/GaN场板HEMT器件(FP-HEMT)的击穿电压从46V提高到了148V，表明了场板对提高击穿电压有显著作用(3倍以上).接着，比较了FP-HEMT器件与常规HEMT器件，钝化后HEMT器件在应力前后的电流崩塌程度，得出了采用场板结构比之钝化对器件抑制电流崩塌有更明显作用的结论.从理论上和实验上都表明，采用场板结构能够很好解决提高击穿电压与抑制电流崩塌之间的矛盾.

关键词:

English Abstract

全文HTML

下载: 全尺寸图片幻灯片

返回文章

搜索

留言板

GaN FP-HEMTs中击穿电压与电流崩塌的关系

Relation between breakdown voltage and current collapse in GaN FP-HEMTs

摘要

Abstract

作者及机构信息

1.
西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071

Authors and contacts

1.
西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071

参考文献

施引文献

目录

计量

GaN FP-HEMTs中击穿电压与电流崩塌的关系

English Abstract

Relation between breakdown voltage and current collapse in GaN FP-HEMTs

1.
西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071

全文HTML

目录

作者中心

审稿中心

关于期刊

关于我们

搜索

留言板

GaN FP-HEMTs中击穿电压与电流崩塌的关系

Relation between breakdown voltage and current collapse in GaN FP-HEMTs

摘要

Abstract

作者及机构信息

1. 西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071

Authors and contacts

1. 西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071

参考文献

施引文献

目录

计量

出版历程

GaN FP-HEMTs中击穿电压与电流崩塌的关系

English Abstract

Relation between breakdown voltage and current collapse in GaN FP-HEMTs

1. 西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071

全文HTML

目录

作者中心

审稿中心

关于期刊

关于我们

1.
西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071

1.
西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071

1.
西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071