| [1] | 梁爱华, 王旭升, 李国荣, 郑嘹赢, 江向平, 胡锐. KxNa1–xNbO3:Pr3+铁电体的光致发光和应力发光性能. 物理学报,
												2022, 71(16): 167801.
												
												doi: 10.7498/aps.71.20220501 | 
							
									| [2] | 马腾宇, 李万俊, 何先旺, 胡慧, 黄利娟, 张红, 熊元强, 李泓霖, 叶利娟, 孔春阳. β-Ga2O3纳米材料的尺寸调控与光致发光特性. 物理学报,
												2020, 69(10): 108102.
												
												doi: 10.7498/aps.69.20200158 | 
							
									| [3] | 包定华. 稀土发光铁电薄膜的研究进展. 物理学报,
												2020, 69(12): 127712.
												
												doi: 10.7498/aps.69.20200738 | 
							
									| [4] | 常虎东, 孙兵, 卢力, 赵威, 王盛凯, 王文新, 刘洪刚. 高迁移率In0.6Ga0.4As沟道MOSHEMT与MOSFET器件特性的研究. 物理学报,
												2012, 61(21): 217304.
												
												doi: 10.7498/aps.61.217304 | 
							
									| [5] | 伍君博, 唐新桂, 贾振华, 陈东阁, 蒋艳平, 刘秋香. 钇和镧掺杂氧化铝陶瓷的热导及其介电弛豫特性研究. 物理学报,
												2012, 61(20): 207702.
												
												doi: 10.7498/aps.61.207702 | 
							
									| [6] | 吴定才, 胡志刚, 段满益, 徐禄祥, 刘方舒, 董成军, 吴艳南, 纪红萱, 徐明. Co与Cu掺杂ZnO薄膜的制备与光致发光研究. 物理学报,
												2009, 58(10): 7261-7266.
												
												doi: 10.7498/aps.58.7261 | 
							
									| [7] | 毕志伟, 冯倩, 郝跃, 岳远征, 张忠芬, 毛维, 杨丽媛, 胡贵州. Al2O3介质层厚度对AlGaN/GaN金属氧化物半导体-高电子迁移率晶体管性能的影响. 物理学报,
												2009, 58(10): 7211-7215.
												
												doi: 10.7498/aps.58.7211 | 
							
									| [8] | 于  威, 李亚超, 丁文革, 张江勇, 杨彦斌, 傅广生. 氮化硅薄膜中纳米非晶硅颗粒的键合结构及光致发光. 物理学报,
												2008, 57(6): 3661-3665.
												
												doi: 10.7498/aps.57.3661 | 
							
									| [9] | 金  鑫, 张晓丹, 雷志芳, 熊绍珍, 宋  峰, 赵  颖. 薄膜太阳电池用纳米上转换材料制备及其特性研究. 物理学报,
												2008, 57(7): 4580-4584.
												
												doi: 10.7498/aps.57.4580 | 
							
									| [10] | 吴小丽, 陈长乐, 韩立安, 罗炳成, 高国棉, 朱建华. 衬底温度对PLD法生长的Mg0.05Zn0.95O薄膜结构和发光特性的影响. 物理学报,
												2008, 57(6): 3735-3739.
												
												doi: 10.7498/aps.57.3735 | 
							
									| [11] | 冯  倩, 郝  跃, 岳远征. Al2O3绝缘层的AlGaN/GaN MOSHEMT器件研究. 物理学报,
												2008, 57(3): 1886-1890.
												
												doi: 10.7498/aps.57.1886 | 
							
									| [12] | 周丽宏, 张崇宏, 李炳生, 杨义涛, 宋  银. 注入Ar+的蓝宝石晶体退火前后光致发光谱的分析. 物理学报,
												2008, 57(4): 2562-2566.
												
												doi: 10.7498/aps.57.2562 | 
							
									| [13] | 冯先进, 马 瑾, 葛松华, 计 峰, 王永利, 杨 帆, 马洪磊. 蓝宝石衬底SnO2:Sb薄膜的制备及结构和光致发光性质. 物理学报,
												2007, 56(8): 4872-4876.
												
												doi: 10.7498/aps.56.4872 | 
							
									| [14] | 宋  银, 王志光, 魏孔芳, 张崇宏, 刘纯宝, 臧  航, 周丽宏. 退火对He注入及随后208Pb27+辐照的Al2O3单晶PL谱的影响. 物理学报,
												2007, 56(1): 551-555.
												
												doi: 10.7498/aps.56.551 | 
							
									| [15] | 周显明, 汪小松, 李赛男, 李 俊, 李加波, 经福谦. 强冲击压缩下LiF,Al2O3和LiTaO3单晶的透光性. 物理学报,
												2007, 56(8): 4965-4970.
												
												doi: 10.7498/aps.56.4965 | 
							
									| [16] | 朱振华, 雷明凯. Er3+掺杂SiO2复合的Al2O3粉末结构及光致发光特性. 物理学报,
												2006, 55(9): 4956-4961.
												
												doi: 10.7498/aps.55.4956 | 
							
									| [17] | 王英龙, 卢丽芳, 闫常瑜, 褚立志, 周  阳, 傅广生, 彭英才. 具有窄光致发光谱的纳米Si晶薄膜的激光烧蚀制备. 物理学报,
												2005, 54(12): 5738-5742.
												
												doi: 10.7498/aps.54.5738 | 
							
									| [18] | 王玉恒, 马  瑾, 计  峰, 余旭浒, 张锡健, 马洪磊. 射频磁控溅射法制备SnO2:Sb薄膜的结构和光致发光性质研究. 物理学报,
												2005, 54(4): 1731-1735.
												
												doi: 10.7498/aps.54.1731 | 
							
									| [19] | 张喜田, 肖芝燕, 张伟力, 高  红, 王玉玺, 刘益春, 张吉英, 许  武. 高质量纳米ZnO薄膜的光致发光特性研究. 物理学报,
												2003, 52(3): 740-744.
												
												doi: 10.7498/aps.52.740 | 
							
									| [20] | 许秀来, 徐  征, 侯延冰, 苏艳梅, 徐  叙. Gd3Ga5O12:Ag薄膜电致发光材料的制备及其发光性质. 物理学报,
												2000, 49(7): 1390-1393.
												
												doi: 10.7498/aps.49.1390 |