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PbWO4晶体空位型缺陷电子结构的研究

姚明珍 梁玲 顾牡 段勇 马晓辉

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PbWO4晶体空位型缺陷电子结构的研究

姚明珍, 梁玲, 顾牡, 段勇, 马晓辉

Yao Ming-Zhen, Liang Ling, Gu Mu, Duan Yong, Ma Xiao-Hui
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  • 采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法计算了PbWO4晶体中与氧空位和铅空位相关缺陷的态密度分布,并运用过渡态方法计算了其激发能.结果表明:PbWO4晶体中WO3+VO缺陷的O2p→W5d跃迁可引起350nm和420nm附近的吸收,并且发现VPb的存在可以使WO42基团的禁带宽度明显变小
    ThispaperpresentsastudyonelectronicstructuresofdefectsassociatedwithoxygenvacancyVOandleadvacancyVPbinleadtungstatecrystals (PbWO4) ,bytherelativisticself consistentdiscretevariationalembeddedclustermethod .Furthermore,theexcitationenergyisalsocalculated.WefoundthatWO3 +VOcouldbetheabsorptioncenterat3 50nmand 42 0nm ,andtheexistenceofVPbcandiminishthebandgapofWO42 -.
      Keywords:
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    • 基金项目: 国家自然科学基金 (批准号 :197740 43);;上海市教育委员会重点学科发展基金;;教育部高等学校骨干教师资助计划;;上海高等学校科技发展基金资助的课题
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-06-01
  • 修回日期:  2001-07-04
  • 刊出日期:  2005-04-11

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