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立方体AgCl微晶中[Fe(CN)6]4-引入的浅电子陷阱阱深与俘获截面的动力学模拟

杨少鹏 傅广生 李晓苇 耿爱从 韩 理

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立方体AgCl微晶中[Fe(CN)6]4-引入的浅电子陷阱阱深与俘获截面的动力学模拟

杨少鹏, 傅广生, 李晓苇, 耿爱从, 韩 理

The kinetics simulation of trap depths and capture cross sections of SETs in AgC l microcrystals doped with [Fe(CN)6]4- complex

Yang Shao-Peng, Fu Guang-Sheng, Li Xiao-Wei, Geng Ai-Cong, Han Li
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  • 为了描述在晶体生长阶段掺入[Fe(CN)6]4-的立方体AgCl微晶中 光电子的产生与 衰减过程,建立了一种由三个固有中心和一个浅电子陷阱(SETs)组成的动力学模型,并引出一组微分方程.通过求解微分方程得到与实验结果相符合的光电子衰减曲线及其寿命.调整相 关模拟参数,于常温下得到由[Fe(CN)6]4-引入的SETs阱深为0.1 15eV,电子俘获截面为2.136×10-17cm2.
    To describe the photoelectron rise and decay process of AgCl microcrystals doped with [Fe(CN)6]4-, a kinetics model composed of three in trinsic centres and a shallow electron traps(SETs)is set up, and further more, a set of differential equations is deduced. By solving the differential equations, photoelectron decay curve and photoelectron lifetime that is in accord with the transient microwave photoconductivity experimental data are obtained. Adjusting related simulation parameters, the SET depths and capture cross sections at room temperature for [Fe(CN)6]4- are obtained and they are 0.115eV and 2 .136×10-17cm2, respectively.
    • 基金项目: 国家教育部科学技术研究重点项目(批准号:01011)及河北省教育厅科研计划项目(批准号:2002153)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-09-18
  • 修回日期:  2003-01-27
  • 刊出日期:  2003-11-20

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