| [1] |
袁用开, 陈茜, 高廷红, 梁永超, 谢泉, 田泽安, 郑权, 陆飞. GaAs晶体在不同应变下生长过程的分子动力学模拟. 物理学报,
2023, 72(13): 136801.
doi: 10.7498/aps.72.20221860
|
| [2] |
孙婷, 王宇, 郭任彤, 卢知为, 栗建兴. 强激光驱动高能极化正负电子束与偏振伽马射线的研究进展. 物理学报,
2021, 70(8): 087901.
doi: 10.7498/aps.70.20210009
|
| [3] |
席晓文, 柴常春, 刘阳, 杨银堂, 樊庆扬. 外界条件在电磁脉冲对GaAs赝高电子迁移率晶体管损伤过程中的影响. 物理学报,
2017, 66(7): 078401.
doi: 10.7498/aps.66.078401
|
| [4] |
李双明, 耿振博, 胡锐, 刘毅, 罗锡明. 晶体生长角和凝固速率对贵金属电子束区域熔炼晶体生长的作用. 物理学报,
2015, 64(10): 108101.
doi: 10.7498/aps.64.108101
|
| [5] |
周勋, 杨再荣, 罗子江, 贺业全, 何浩, 韦俊, 邓朝勇, 丁召. 反射式高能电子衍射实时监控的分子束外延生长GaAs晶体衬底温度校准及表面相变的研究. 物理学报,
2011, 60(1): 016109.
doi: 10.7498/aps.60.016109
|
| [6] |
牛军, 张益军, 常本康, 熊雅娟. GaAs光电阴极激活时Cs的吸附效率研究. 物理学报,
2011, 60(4): 044209.
doi: 10.7498/aps.60.044209
|
| [7] |
牛军, 张益军, 常本康, 熊雅娟. GaAs光电阴极激活后的表面势垒评估研究. 物理学报,
2011, 60(4): 044210.
doi: 10.7498/aps.60.044210
|
| [8] |
乔建良, 田思, 常本康, 杜晓晴, 高频. 负电子亲和势GaN光电阴极激活机理研究. 物理学报,
2009, 58(8): 5847-5851.
doi: 10.7498/aps.58.5847
|
| [9] |
李维勤, 张海波. 低能电子束照射接地绝缘薄膜的负带电过程. 物理学报,
2008, 57(5): 3219-3229.
doi: 10.7498/aps.57.3219
|
| [10] |
李 弘, 苏 铁, 欧阳亮, 王慧慧, 白小燕, 陈志鹏, 刘万东. 电子束产生大尺度等离子体过程的数值模拟研究. 物理学报,
2006, 55(7): 3506-3513.
doi: 10.7498/aps.55.3506
|
| [11] |
李正红, 黄 华, 常安碧, 孟凡宝. 任意时间分布电子束与单间隙微波腔的非线性自洽过程研究. 物理学报,
2005, 54(4): 1564-1571.
doi: 10.7498/aps.54.1564
|
| [12] |
丁海兵, 庞文宁, 刘义保, 尚仁成. 液晶相位可变延迟器对自旋极化电子束极化方向的调制. 物理学报,
2005, 54(9): 4097-4100.
doi: 10.7498/aps.54.4097
|
| [13] |
刘红侠, 郝 跃, 张 涛, 郑雪峰, 马晓华. AlGaAs/InGaAs/GaAs赝配高电子迁移晶体管的kink效应研究. 物理学报,
2003, 52(4): 984-988.
doi: 10.7498/aps.52.984
|
| [14] |
袁行球, 陈重阳, 李 辉, 赵太泽, 郭文康, 须 平. 电子束离子阱中高价态离子演化过程的数值模拟. 物理学报,
2003, 52(8): 1906-1910.
doi: 10.7498/aps.52.1906
|
| [15] |
沈文忠, 唐文国, 沈学础, A.Dimoulas. δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管AlGaAs/InGaAs/GaAs结构的光谱研究. 物理学报,
1995, 44(5): 779-787.
doi: 10.7498/aps.44.779
|
| [16] |
傅柔励, 马允胜, 孙鑫. 强耦合一维电子-晶格体系中孤子激活能. 物理学报,
1992, 41(7): 1143-1146.
doi: 10.7498/aps.41.1143
|
| [17] |
丁训民, 董国胜, 杨曙, 陈平, 王迅. In/GaAs(111)界面形成过程的电子能谱研究. 物理学报,
1985, 34(5): 634-639.
doi: 10.7498/aps.34.634
|
| [18] |
沈中毅, 殷岫君, 张云, 洪景新, 何寿安, 储少岩. (Fe0.1Co0.55Ni0.3578Si8B14金属玻璃的晶化过程及压力的影响(Ⅱ)——晶化温度和晶化激活能. 物理学报,
1985, 34(10): 1327-1335.
doi: 10.7498/aps.34.1327
|
| [19] |
闵乃本, 范崇禕, 李齐, 徐有尚, 冯端. 利用电子束浮区区熔法制备钼单晶体. 物理学报,
1963, 19(3): 160-164.
doi: 10.7498/aps.19.160
|
| [20] |
何国柱. 周期场聚焦电子束. 物理学报,
1958, 14(5): 376-392.
doi: 10.7498/aps.14.376
|
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