[1] |
苗瑞霞, 谢妙春, 程开, 李田甜, 杨小峰, 王业飞, 张德栋. Te掺杂对二维InSe抗氧化性以及电子结构的影响. 物理学报,
2023, 72(12): 123101.
doi: 10.7498/aps.72.20230004
|
[2] |
于鹏, 曹盛, 曾若生, 邹炳锁, 赵家龙. 金属离子掺杂提高全无机钙钛矿纳米晶发光性质的研究进展. 物理学报,
2020, 69(18): 187801.
doi: 10.7498/aps.69.20200795
|
[3] |
赵世平, 张鑫, 刘智慧, 王全, 王华林, 姜薇薇, 刘超前, 王楠, 刘世民, 崔云先, 马艳平, 丁万昱, 巨东英. 低能氨离子/基团扩散对铟锡氧化物薄膜电学性质的影响规律. 物理学报,
2020, 69(23): 236801.
doi: 10.7498/aps.69.20200860
|
[4] |
刘奎立, 周思华, 陈松岭. 金属离子掺杂对CuO基纳米复合材料的交换偏置调控. 物理学报,
2015, 64(13): 137501.
doi: 10.7498/aps.64.137501
|
[5] |
程超群, 李刚, 张文栋, 李朋伟, 胡杰, 桑胜波, 邓霄. B, P掺杂β-Si3N4的电子结构和光学性质研究. 物理学报,
2015, 64(6): 067102.
doi: 10.7498/aps.64.067102
|
[6] |
刘玮洁, 孙正昊, 黄宇欣, 冷静, 崔海宁. 不同价态稀土元素Yb掺杂ZnO的电子结构和光学性质. 物理学报,
2013, 62(12): 127101.
doi: 10.7498/aps.62.127101
|
[7] |
李泓霖, 张仲, 吕英波, 黄金昭, 张英, 刘如喜. 第一性原理研究稀土掺杂ZnO结构的光电性质. 物理学报,
2013, 62(4): 047101.
doi: 10.7498/aps.62.047101
|
[8] |
李林娜, 陈新亮, 王斐, 孙建, 张德坤, 耿新华, 赵颖. H2 气对脉冲磁控溅射铝掺杂氧化锌薄膜性能的影响. 物理学报,
2011, 60(6): 067304.
doi: 10.7498/aps.60.067304
|
[9] |
吴玉喜, 胡智向, 顾书林, 渠立成, 李腾, 张昊. 稀土元素(Y,La)掺杂ZnO的电子结构和光学性质. 物理学报,
2011, 60(1): 017101.
doi: 10.7498/aps.60.017101
|
[10] |
乐伶聪, 马新国, 唐豪, 王扬, 李翔, 江建军. 过渡金属掺杂钛酸纳米管的电子结构和光学性质研究. 物理学报,
2010, 59(2): 1314-1320.
doi: 10.7498/aps.59.1314
|
[11] |
梁伟华, 丁学成, 褚立志, 邓泽超, 郭建新, 吴转花, 王英龙. 镍掺杂硅纳米线电子结构和光学性质的第一性原理研究. 物理学报,
2010, 59(11): 8071-8077.
doi: 10.7498/aps.59.8071
|
[12] |
尹桂来, 李建英, 李盛涛. 利用普适介电理论对银/氧化锌复合材料介电性能的研究. 物理学报,
2009, 58(6): 4219-4224.
doi: 10.7498/aps.58.4219
|
[13] |
胡志刚, 段满益, 徐明, 周勋, 陈青云, 董成军, 令狐荣锋. Fe和Ni共掺杂ZnO的电子结构和光学性质. 物理学报,
2009, 58(2): 1166-1172.
doi: 10.7498/aps.58.1166
|
[14] |
郭建云, 郑 广, 何开华, 陈敬中. Al,Mg掺杂GaN电子结构及光学性质的第一性原理研究. 物理学报,
2008, 57(6): 3740-3746.
doi: 10.7498/aps.57.3740
|
[15] |
唐利斌, 姬荣斌, 宋立媛, 陈雪梅, 李永亮, 荣百炼, 宋炳文. 有机红外半导体酞菁铒的掺杂及电学性质研究. 物理学报,
2008, 57(11): 7244-7251.
doi: 10.7498/aps.57.7244
|
[16] |
金胜哲, 黄祖飞, 明 星, 王春忠, 孟 醒, 陈 岗. 二价金属元素掺杂对LiCoO2体系电子输运性质的影响. 物理学报,
2007, 56(10): 6008-6012.
doi: 10.7498/aps.56.6008
|
[17] |
沈益斌, 周 勋, 徐 明, 丁迎春, 段满益, 令狐荣锋, 祝文军. 过渡金属掺杂ZnO的电子结构和光学性质. 物理学报,
2007, 56(6): 3440-3445.
doi: 10.7498/aps.56.3440
|
[18] |
林秋宝, 李仁全, 曾永志, 朱梓忠. TM掺杂的Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体电磁性质的第一原理计算. 物理学报,
2006, 55(2): 873-878.
doi: 10.7498/aps.55.873
|
[19] |
王 漪, 孙 雷, 韩德栋, 刘力锋, 康晋锋, 刘晓彦, 张 兴, 韩汝琦. ZnCoO稀磁半导体的室温磁性. 物理学报,
2006, 55(12): 6651-6655.
doi: 10.7498/aps.55.6651
|
[20] |
邵守福, 郑 鹏, 张家良, 钮效鵾, 王春雷, 钟维烈. CaCu3Ti4O12陶瓷的微观结构和电学性能. 物理学报,
2006, 55(12): 6661-6666.
doi: 10.7498/aps.55.6661
|