Vol. 33, No. 10 (1984)
1984年05月20日
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1984, 33 (10): 1341-1349.
doi: 10.7498/aps.33.1341
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在电磁流体力学范围内研究了与磁辫相联系的反常电子粘滞性效应所驱动的双撕裂模的线性行为。采用分区处理方法得到了该模式的一个近似色散关系。如果在x=±xs处的两个有理面间的距离足够小[xs/α《(kyα)-11/15R-11/15],则所得增长率的变化规律为τv-1/5,随着该距离的增大,增长率过渡为τr-1/3定标。τv-1/5定标被证明为与撕裂层中不变φ近似的失效有关。
1984, 33 (10): 1350-1358.
doi: 10.7498/aps.33.1350
摘要 +
在平板模型下,所谓普适模是绝对稳定的。对于圆柱形等离子体,情形又如何呢?两者的主要差别在于:代替平板模型下的外行波边条件,在柱模型下则在r=0和r=∞处都没有波能外流。这可有效地改变模的稳定性。假设了指数型密度和电流分布,本文导出了漂移波的积分本征方程。在模径向慢变的情形下,它可变为二阶微分方程。对此方程作了数值计算,结果表明确实存在不稳定模。对两种模型(平板模型与柱模型)作了比较。
1984, 33 (10): 1359-1367.
doi: 10.7498/aps.33.1359
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本文研究了金属玻璃(Fe1-xCOx)78Si10B12的磁化感生各向异性、应变感生各向异性随成分和温度的变化。磁化感生各向异性常数Kum为正值,x=0.7时为最大;不可逆的应变感生各向异性常数Kusi为正值,x=0.5时为最大;可逆的应变感生各向异性常数Kusr除了x>0.975区均为负值,在x=0.7时为最大;感生各向异性常数在温度变化时与Msα成正比,α在3.4和7.5之间随成分和退火工艺而变化。用短程有序模型解释了部分实验结果。
1984, 33 (10): 1368-1376.
doi: 10.7498/aps.33.1368
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本文导出了部分偏振斑纹象强度的n阶矩,考察了部分偏振象面斑纹噪声相乘性的统计学论据,并讨论了部分偏振斑纹象乘法模型的均方误差。最后讨论了N个等强度照明的独立直线偏振斑纹象非相干叠加时乘法模型的有效性。
1984, 33 (10): 1377-1385.
doi: 10.7498/aps.33.1377
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本文在最一般的线性协变规范下计算了含有17个参数的有挠引力理论的传播子,发现拉氏函数中有三项对理论的粒子内容无影响。1-粒子是规范有关的非物理粒子,与原始拉氏量是否无鬼、无快子没有关系。
1984, 33 (10): 1386-1392.
doi: 10.7498/aps.33.1386
摘要 +
本文利用文献的结果审查了de Sitter引力的粒子内容,发现SO(3,2)de Sitter引力既不含鬼粒子,又不含快子。而SO(4,1)应被排除。SO(3,2)de Sitter理论的粒子内容为m=0,JP=2+,1+两种正度规粒子,以及m=21/2L-1(L为de Sitter伪球半径)、JP=0+的正度规粒子。本文还在树图近似下研究了宇宙项所造成的Minkowski真空自发破缺。
1984, 33 (10): 1393-1400.
doi: 10.7498/aps.33.1393
摘要 +
本文将单点杂质引入到不可共度势一维体系中,用格林函数方法推导了杂质状态的能级和波函数。发现当杂质处在不可共度势变化较快的位置时,杂质能级的变化也较大。杂质状态的波函数是略有波动的指数衰减函数。讨论了杂质对带内状态波函数的影响,发现以杂质点为对称的体系中,具有偶宇称的状态波函数,在杂质的附近,振幅有相当大的下降。在对杂质点无对称性的体系中,在杂质的附近,产生一个振幅的阶跃。
1984, 33 (10): 1401-1407.
doi: 10.7498/aps.33.1401
摘要 +
根据Born近似,可以计算高能电子碰撞激发的总截面和微分截面。微分截面是和所谓的广义振子强度成正比的。电子碰撞过程可将靶原子或离子激发至无数的束缚态、自电离态和对应的连续态,多通道量子数亏损理论能够统一地处理这些激发态。因此可以定义每单位激发能内的广义振子强度为广义振子强度密度。本文以Li原子为例,总结其广义振子强度密度随激发能量和动量转移而变化的规律,并和最近精确的实验结果进行了比较,明确了Born近似的适用范围。
1984, 33 (10): 1408-1417.
doi: 10.7498/aps.33.1408
摘要 +
本文分别在孤立杂质和耦合杂质情况下,讨论了sd相互作用对一维导体电阻的贡献。为了说明本文杂质耦合的实质,导出了一维RKKY作用的形式。对一维磁性合金的电阻进行了定性的讨论并从理论上预言了可能的ρ-T曲线。
1984, 33 (10): 1418-1426.
doi: 10.7498/aps.33.1418
摘要 +
本文提出了半导体中过渡元素杂质的一个简单模型,用格林函数方法计算了硅中替代和间隙原子产生的杂质能级和波函数。发现两者的性质有很大的差别。替代原子只有当d原子能级Vd低于价带顶时才能产生杂质能级。它的波函数主要是悬键态,当能级靠近导带边时变成正键态。间隙原子只有当Vd高于价带顶时才能产生杂质能级。它的波函数主要是中心原子d态,当能级靠近导带边时变成弱反键态。最后定性地说明了过渡元素杂质能级的化学趋势和一些实验事实。
研究简报
1984, 33 (10): 1427-1433.
doi: 10.7498/aps.33.1427
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用差热分析、X射线物相分析和点阵常数的精确测定,研究了Ba2CaWO6-Sr2CaWO6赝二元系的相平衡和相变。发现在高温(860℃以上)时,形成连续固溶体。在室温时,在富Ba2CaWO6一侧,形成以Ba2CaWO6为基的固溶体;在富Sr2CaWO6一侧,形成以Sr2CaWO6为基的固溶体,相变点在成分为Ba2CaWO:Sr2CaWO6=25:75(克分子比)处。同时研究了作为高压钠灯灯丝涂层材料的BaxSr2-xCaWO6的几个重要性质:电子发射和多次启动时的灯压升高等。发现成分为BaSrCaWO6时,性质最好。
1984, 33 (10): 1434-1436.
doi: 10.7498/aps.33.1434
摘要 +
制造超导体钯铜合金的新方法是把铜注入钯,然后在室温下电解,将Pd-Cu合金再在液氮温度下注入氢,这样所得到的超导结构H/Pd55Cu45≈0.7可以达到最高的超导临界温度为17K。由于氢的浓度对该系统超导性的存在是关键,因此,我们仍用15N的共振核反应法研究这类合金中氢分布及其对超导临界温度的影响和作用。从而对探索这类超导体新方法提供有意义的信息。
1984, 33 (10): 1437-1441.
doi: 10.7498/aps.33.1437
摘要 +
本文研究等离子体集体效应对轫致辐射的影响。根据已得到的理论结果,对激光逆轫致吸收系数、等离子体中的自发轫致发射谱及总能量做了数值考察。
1984, 33 (10): 1442-1447.
doi: 10.7498/aps.33.1442
摘要 +
本文的计算表明,不采用Kruer所引入的密度分布的局域线性化近似,同样可以导出更完备、精确的描述等离子体密度轮廓特征的各种参数,从而更接近真实地反映出有质动力对临界密度附近的密度轮廓的修正。
1984, 33 (10): 1448-1453.
doi: 10.7498/aps.33.1448
摘要 +
研究高压对非晶Fe82Si4B14合金晶化过程的影响,给出常压下与77kbar下的时间-温度-变态图(即T-T-T图)。结果表明:合金晶化温度的压力梯度值随晶化进行的时间长短而改变。常压下晶化时,bcc-Fe(Si)固溶体相先形成;77kbar下晶化时,DOe型Fe3B与bcc-Fe(Si)固溶体相同时出现。
1984, 33 (10): 1454-1458.
doi: 10.7498/aps.33.1454
摘要 +
用超导量子干涉器(SQUID)磁强计对稀释磁性半导体Zn1-xMnxSe(0.1≤x≤0.50)的低温低场直流磁化率作了测量,测量温度从4.2K到30K,测量磁场为15Oe。当x≥0.30时,从磁化率-温度曲线的浑圆峰值,观察到了自旋玻璃的转变。自旋玻璃的转变温度Tf,对x=0.30,0.40,0.50,分别为10.5K,16K,19.5K。给出了顺磁相和自旋玻璃相的相图。比较了Zn1-xMnxSe和Cd1-xMnxSe的自旋玻璃转变温度,发现对同样的Mn离子浓度,Zn1-xMnxSe的Tf高于Cd1-xMnxSe的Tf,用交换作用的理论作了讨论。
1984, 33 (10): 1459-1465.
doi: 10.7498/aps.33.1459
摘要 +
我们提出了几种无费密子格点规范理论的新作用量形式,证明了它们符合Wilson对格点作用量提出的条件,讨论了它们与几种常用的作用量间的关系。并推导了在使用新作用量时Wilson圈满足的Schwinger-Dyson方程,证实了当N→∞时,E-K模型中的Schwinger-Dyson方程和标准格点模型相同。
1984, 33 (10): 1466-1471.
doi: 10.7498/aps.33.1466
摘要 +
除了库仑耦合和Kazama-杨振宁耦合——кqβ∑·r/2Mr3外,本文同时讨论了费密子Dirac双子应当存在的另一耦合iкzzde2γ·r/2Mr3。结果表明,对所有角动量态,费密子径向波函数具有物理上合理的原点渐近行为。定性地分析了束缚态的必要条件。发现,对于双子情形,当额外磁矩к→0时,存在费密子束缚态是可能的;但对于磁单极情形,当к→0时,必不存在费密子束缚态。
1984, 33 (10): 1472-1474.
doi: 10.7498/aps.33.1472
摘要 +
本文研究了A-Si:H薄膜中氢原子总含量及硅-氢键合形式随薄膜中晶化程度的变化规律。指出,当晶粒大小为200±50?范围氢含量陡然下降,硅-氢键合由Si-H明显地向Si-H2转化。认为,200±50?是微晶硅膜向多晶硅膜转化的一个相交点。
1984, 33 (10): 1475-1479.
doi: 10.7498/aps.33.1475
摘要 +
用能化电子改变样品的表面势,测量多种二次离子产额的能谱,发现在通常条件下,特别当存在氧增强发射时,离子的存活几率不为共振电子隧道效应所影响。动力学参量的数据表明,决定离子产额的表面势是高度局域的。并可推论电子束照射对二次离子质谱的定量分析可起有益的效用。
1984, 33 (10): 1480-1484.
doi: 10.7498/aps.33.1480
摘要 +
采用自洽LMTO方法,计算了NiSi2化合物的电子结构。所得结果与ARUPS光电子谱结果以及LAPW等计算结果符合得相当好。在NiSi2化合物中Ni3p芯能级移动是与镍原子的电子组态变化有关;镍的3d电子减少导致对镍的3p电子屏蔽作用减弱。计算结果表明离子性对化学键贡献很小。
