具有部分超结的新型SiC SBD特性分析
物理学报
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物理学报  2010, Vol. 59 Issue (1): 566-570
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
具有部分超结的新型SiC SBD特性分析
杨银堂, 耿振海, 段宝兴, 贾护军, 余涔, 任丽丽
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071
Characteristics of a SiC SBD with semi-superjunction structure
Yang Yin-Tang, Geng Zhen-Hai, Duan Bao-Xing, Jia Hu-Jun, Yu Cen, Ren Li-Li
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071

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