4H-SiC中基面位错发光特性研究
物理学报
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物理学报  2011, Vol. 60 Issue (3): 037808
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
4H-SiC中基面位错发光特性研究
苗瑞霞, 张玉明, 汤晓燕, 张义门
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071
Investigation of luminescence properties of basal plane dislocations in 4H-SiC
Miao Rui-Xia, Zhang Yu-Ming, Tang Xiao-Yan, Zhang Yi-Men
School of Microelectronics, Xidian University, Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xi’an 710071, China

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